原创力文档- 3
- 0
- 约8.17千字
- 约 9页
- 2023-11-04 发布于四川
- 举报
本发明实施例公开了一种用于背封硅片的设备和方法，所述设备包括：第一沉积模块，所述第一沉积模块用于在所述硅片的背面沉积具有第一致密性的第一硅氧化物层；第二沉积模块，所述第二沉积模块用于在所述第一硅氧化物层上沉积具有第二致密性的第二硅氧化物层，其中，所述第二致密性高于所述第一致密性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115527903 A
(43)申请公布日 2022.12.27
(21)申请号 202211479416.7
(22)申请日 2022.11.24
(71)申请人 西安奕斯伟材料科技有限公司
地址
文档评论（0）