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本实用新型涉及半导体领域,具体是一种晶圆吸附装置,包括自下而上层叠布置的底板、分配板以及吸附板,分配板板身上开设有缓冲孔,底板、吸附板与缓冲孔围合形成缓冲腔,底板上布置有与缓冲腔连通的负压头;所述吸附板的板面上均匀开设有与缓冲腔连通的吸附孔,各吸附孔均位于晶圆沿铅垂方向的投影范围内。本实用新型可实现对晶圆的稳定吸附,避免晶圆发生水平位移,大幅降低植球失败率。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219998192 U
(45)授权公告日 2023.11.10
(21)申请号 202321577915.X
(22)申请日 2023.06.19
(73)专利权人 合肥晶威特电子有限责任公司
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