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本发明公开了一种高可靠性芯片封装方法及封装结构，该封装方法包括以下步骤：先完成晶圆键合和去应力减薄，再刻蚀出斜槽，随后在晶圆表面制备钝化层，钝化层在斜槽侧壁附着均一性良好，最后完成重布线路层以及阻焊层，植球、切割成最终成品。本发明采用一步光刻和一步刻蚀，简化了工艺流程，降低了封装成本，缩短了封装时间，工艺相对更简单，通过一步硅通孔刻蚀形成槽角度适中、平缓、开口较大的斜槽，有利于钝化层在斜槽侧壁均匀附着，降低了电性失效风险，能够起到良好的绝缘作用，有利于提高芯片封装可靠性，线路与pad连接采用表面
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038579 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202311248869.3 H01L 23/48 (2006.01)
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