《半导体物理学》【ch07】 金属和半导体的接触 教学课件.pptxVIP

第七章半导体物理学金属和半导体的接触集成电路科学与工程系列教材 01金属半导体接触及其能级图 金属半导体接触及其能级图01金属和半导体的功函数7. 1.1 金属和半导体的功函数在热力学温度零度时，金属中的电子填满了费米能级EF 以下的所有能级，而高于EF的能级则全部是空着的。在一定温度下，只有EF附近的少数电子受到热激发，由低于EF的能级跃迁到高于EF 的能级，但是绝大部分电子仍不能脱离金属而逸出体外。这说明金属中的电子虽然能在金属中自由运动，但绝大多数所处的能级都低于体外能级。要使电子从金属中选出， 必须由外界给它以足够的能量。 金属半导体接触及其能级图01金属和半导体的功函数7. 1.1 金属和半导体的功函数所以，金属内部的电子是在一个势阱中运动的。用E0表示真空中静止电子的能量。金属的功函数的定义是E0与（ EF）m的能量之差，用Wm 表示，即它表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小能量。功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱， Wm 越大，电子越不容易离开金属。金属的功函数约为几电子伏特。铯的功函数最低，为1.93eV；铂的最高，为5 . 36eV。功函数的值与表面状况有关。给出了真空中清洁表面的金属功函数与原子序数的关系。由图可知， 随着原子序数的递增，功函数也呈现周期性变化。 金属半导体接触及其能级图01金属和半导体的功函数7. 1.1 金属和半导体的功函数 金属半导体接触及其能级图01金属和半导体的功函数7. 1.1 金属和半导体的功函数在半导体中，导带底Ee 和价带顶Ev 一般都比Ea 低几电子伏特。要使电子从半导体逸出，必须给它以相应的能量。和金属类似，也把Eo 与费米能级之差称为半导体的功函数，用Ws 表示，于是半导体的费米能级随杂质浓度而变化，因而Ws也与杂质浓度有关。n 型半导体的功函数。图中还画出了从Ee到Eo的能量间隔χ，即X称为电子亲和能，它表示要使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。利用电子亲和能，半导体的功函数又可表示为 金属半导体接触及其能级图01金属和半导体的功函数7. 1.1 金属和半导体的功函数式中不同掺杂浓度的Ge,Si 及GaAs 的功函数列于表7-1 中。 金属半导体接触及其能级图02接触电势差7.1. 2 接触电势差设想有一块金属和一块n型半导体，它们有共同的真空静止电子能级，并假定金属的功函数大于半导体的功函数，即WmWs。它们接触前，尚未达到平衡时的能带图，显然半导体的费米能级（EF)s 高于金属的费米能级（EF）m，且（ EF）s一（ EF)m= Wm-ws 。如果用导线把金属和半导体连接起来，它们就成为一个统一的电子系统。由于原来（EF) s 高于（EF)m ，半导体中的电子将向金属流动，使金属表面带负电，半导体表面带正电。它们所带电荷在数值上相等，整个系统仍保持电中性，结果降低了金属的电势，提高了半导体的电势。 金属半导体接触及其能级图02接触电势差7.1. 2 接触电势差当它们的电势发生变化时，其内部的所有电子能级及表面处的电子能级都随之发生相应的变化，最后达到平衡状态，金属和半导体的费米能级在同一水平上，这时不再有电子的净流动。它们之间的电势差完全补偿了原来费米能级的不同，即相对于金属的费米能级，半导体的费米能级下降了（Wm-Ws）。由图可明显地看出这个由接触而产生的电势差称为接触电势差。这里所讨论的是金属和半导体之间的距离D远大于原子间距时的情形。 金属半导体接触及其能级图02接触电势差7.1. 2 接触电势差 金属半导体接触及其能级图02接触电势差7.1. 2 接触电势差随着D 的减小，靠近半导体一侧的金属表面负电荷密度增大，同时，靠近金属一侧的半导体表面的正电荷密度也随之增大。受半导体中自由电荷密度的限制，这些正电荷分布在半导体表面相当厚的一层表面层内，即空间电荷区。这时在空间电荷区内便存在一定的电场，造成能带弯曲，使半导体表面和内部之间存在电势差吭，即表面势。这时接触电势差一部分降落在空间电荷区，另一部分降落在金属和半导体表面之间， 于是有若D小到可以与原子间距相比较，电子就可自由穿过间隙，这时vms很小，接触电势差绝大部分降落在空间电荷区。 金属半导体接触及其能级图02接触电势差7.1. 2 接触电势差忽略间隙中的电势差时的极限情形，这时（Ws-Wm)/q=Vs。 半导体一边的势垒高度为为了便问题简化，以后只讨论这种极限情形。 金属半导体接触及其能级图02接触电势差7.1. 2 接触电势差从上面的分析可清楚地看出，当金属与n 型半导体接触时，若WmWs，则在半导体表面形成一个正的空间电荷区，其中电场方向由体内指向表面，vs0 ，它使半导体表面电子的能量高于体内，能带向上弯曲，即形成表面势垒。在势垒区中，空间电荷主