《半导体物理学》【ch13】非晶态半导体 教学课件.pptxVIP

第十三章半导体物理学非晶态半导体集成电路科学与工程系列教材 非晶态半导体导入晶体的特征是其中原子的排列具有周期性，这种性质称为长程有序。自然界还存在另一类团体，其中原子的排列不具有周期性，即不具有长程有序，这类物质统称为非晶态固体，入们也常用无定形体来称呼。例如，由快淬冷却形成的各种玻璃态固体，以及用蒸发、溅射和化学气相淀积（CVD）等方法制备的各种薄膜多属于非晶态。非晶态固体亦可分为金属、半导体和绝缘体三类。本章以讨论非晶态半导体为主。目前入们研究得最多的非晶态半导体为以下两类。 非晶态半导体导入1四面体结构非晶态半导体这类非晶态半导体主要有N族元素非晶态半导体，如非晶硅和非晶锗（以后分别表示为a-Si和a-Ge）及III-V 族化合物非晶态半导体，如a-GaAs、a-GaP、a-InP、a-GaSb 等。这类非晶态半导体的特点是它们的最近邻原子配位数为4 ，即每个原子周围都有4 个最近邻原子。2硫系非晶态半导体这类非晶态半导体中含有很大比例的硫系元素，如S、Se 、Te 等，它们往往以玻璃态形式出现。例如， S、Se 、Te 、As?S?、As?Te?、As?Se?、Sb?S? 、Sb?Te?、Sb?Se?及三元系As?Se?-As?Te?和四元系Tl? ? Se? -As?Te? 等都属于此类，其范围是很广的。 非晶态半导体导入除上述两大类外，目前已发现了多种多样的非晶态半导体，如氧化物非晶态半导体GeO ? 、BaO 、SiO? 、TiO? 、SnO?及Ta?O5 等，III族元素和V 族元素非晶态半导体如a-B和a-As等，这里不一一枚举。非晶态半导体有很大的实用价值和广阔的应用前景。无论从基础研究和应用研究考虑，非晶态半导体都是一个重要的有发展前途的研究领域。本章将以讨论非晶态半导体的基本特性（如结构、电子态和隙态、输运过程及光学性质等）为主。 01非晶态半导体的结构 非晶态半导体的结构根据衍射等大量的实验证明，非晶态半导体的结构虽然不具有长程序，但其中原子的排列也不是完全杂乱无章的，在一个原子或几个原子间距范围内，其排列仍遵守一定规律。例如，非晶体中每一原子周围的最近邻原子数与同质晶体中一样，仍是确定的，且这些最近邻原子的空间排列方式仍大体保留晶体中的特征。在非晶硅中每一硅原子周围仍是4 个最近邻硅原子，而且它们的排列仍大体上保持单晶硅中的四面体结构配位形式，只是键角和键长发生了一些畸变。任意两个键之间的夹角不像单晶硅那样都是109°28＇，而是随机地分布在109 °28＇ ±10°的范围内的。非晶态固体中的上述特征称为短程有序。 为了研究非晶态固体的结构，通常引入一个称作原子径向分布函数的量，简写为RDF。其定义为：以非晶体中的每个原子为中心，求出距离该原子半径r至（ r+dr） 的球壳内的原子数，然后将非晶体中以各个原子为中心求得的上述值进行平均，将其值写为4πr2ρ（r)dr，则其中4πr2ρ（r) 称为原子径向分布函数。非晶态固体的短程有序性可由X光衍射或电子衍射等实验直接证实。实验中使X 光或电子束通过非晶态固体发生衍射， 然后分析测得的衍射波强度分布，可求得上述的原子径向分布函数， 从而得到有关非晶态固体结构的信息。图13 - 1表示用电子衍射法求得的a-Si 和晶体硅的原子径向分布函数，因中峰值较高的曲线对应于晶体硅。非晶态半导体的结构 非晶态半导体的结构曲线中第一峰和第二峰分别代表最近邻和次近邻原子分布的极大值，由此得到a-Si的最近邻原子分布峰值位于距离2. 35×10- 1o m处，次近邻原子分布峰值位于3 . 86 × 10-1om 处，与晶体硅的一致或相近。比较a-Si 与晶体硅的原子径向分布函数，可看到它们的第一个峰比较吻合，且峰下的面积都是4 ，这表明a-Si 中每一原子周围的最近邻平均原子数仍是4 ，且距离也与晶体硅中相同。a-Si 的第二峰下面的面积为11. 6±0. 5,它给出次近邻的平均原子数，与晶体硅的也基本一致。但a-Si的第二峰较晶体硅的低得多，且分布范围更宽，表明在a-Si中次近邻原子的距离分布比较分散，相对于晶体硅已发生了较大的偏离。从曲线中还看到，随着r的增大， a-Si 的原子径向分布函数的峰值变得越来越不显著，说明原子的分布已不具有晶体中的长程有序性了。 可是从最近邻原子的分布看，仍保留着单晶的短程有序性。短程有序而长程无序，这就是非晶体结构的基本特征。非晶态半导体中的短程有序的发生与其键结构有关。许多半导体是以共价结合为主的， 其中有些（如Ge 、Si 等）属于纯共价结合，另一些（如某些化合物半导体）是带有极性的共价结合。共价键（包括带有极性的〉的一个主要特性是具有方向性， 即一个原子只能沿几个确定方向与相邻原子形成共价键，因此从晶体到非晶体每个原子周围的键数