半导体元件结构的制备方法.pdfVIP

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2023-11-18 发布于四川
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半导体元件结构的制备方法.pdf

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本公开提供一种具有氟捕捉层的半导体元件结构的制备方法。该制备方法包括：在一半导体基板上方形成一第一介电层；在该第一介电层内形成一第一导电通孔结构；该制备方法也包括：形成位于该第一介电层上方且覆盖第一导电通孔结构的一第二介电层；在该第二介电层上方形成一氟捕捉层；且该制备方法还包括：在该氟捕捉层上方形成一第三介电层；以及在该第三介电层、该氟捕捉层及该第二介电层内形成一第二导电通孔结构。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117080192 A (43)申请公布日 2023.11.17 (21)申请号 202310138670.9 (22)申请日 2023.02.20 (30)优先权数据