光电信息技术-全套PPT课件.pptx

光 电 信 息 技 术 ;第1章 光电信息技术物理基础1.1、光的基本性质及其度量1.1.1、光的基本性质;由麦克斯韦方程知道，迅速变化着的电磁场必定要向四周传播。电磁波在媒质中传播速度υ由下式决定 υ=λν/n （1-1） 式中，速度υ的单位是m/s；λ为波长，单位是m；ν为频率，单位是Hz；n为媒质的折射率。在真空中，n=1，光传播速度c=299792458m/s，一般近似记为3×108m/s。除非特别指明，今后凡提到光的波长、速度，通常均指真空中的波长、速度。;利用麦克斯韦理论能很好地说明光在传播过程中的反射、折射、干涉、衍射、偏振以及光在各向异性介质中的传播等现象。但在研究过程中，人们发现在光与物质的互相作用方面，如物质对光的吸收、色散和散射等，用电磁理论仍不能给出令人满意的解释。 1900年普朗克在研究黑体辐射的能量按波长分布这一问题时认为，谐振子辐射是不连续的，提出了辐射的量子论。1905年，爱因斯坦在解释光电发射现象时也提出了光量子的概念，从而逐渐地形成了新的微粒理论-量子论。量子论认为，光是由许多光量子组成的，这些光量子具有的能量为hν。其中h=（6.6260755±0.0000040）×1034J·S，称为普朗克常数。以后的光电效应、X光散射等实验证实了光量子理论，并肯定了光具有粒子性。然而，光的干涉、衍射等现象又必须肯定光具有波动性。 事实使人们认识到光具有波粒二重性。后来发展的量子电动力学也较好地反映了光的这种二重性，从而使人们对光的本性有了进一步认识。当然这种认识仍然是近似的，但它更接近客观实际了。;1.1.2、光辐射的度量;2、光谱辐射度量（辐射量的光谱密度） 为了表征辐射，不仅要知道辐射的总通量和强度，还应知道其光谱组份。因为光源发出的光，往往由许多波长的光组成。为了研究各种波长的光所分别辐射的能量，还需要引入光谱辐射度量，即单位波长间隔内的辐射度量，其度量和单位如表1-3所示。 ;3、光度量 前面所叙述的一些能量参数并没有考虑到人眼的作用。因此必须用基于人眼视觉的光学参量即光度量来描述。图1-3为明视觉和暗视???情况下的人眼视见函数曲线。明视觉视见函数V（λ）的最大值在555 nm处，此时V（λ）=1，其它波长的V（λ）都小于1；暗视觉视见函数V′(λ)的最大值在507nm处，波长略偏短。 ;表1-4列出了基本光度学的量、定义、单位和符号。;若在波长λ到λ+dλ间隔内光源的辐射通量为Φe,λdλ，则光通量的表示式为 式中，Km为辐射度量与光度量之间的比例系数；V（λ）为人眼的光谱光视效率，积分限的变换是由于对波长小于380nm和大于780nm的不可见光，V（λ）=0。 显然，Km的单位为流明/瓦，其值为683Lm/W ，称为最大光谱光视效能。它表示在波长为555nm处，即V（λ）=1处，与1W的辐射通量相当的光通量为683Lm；换句话说，此时1Lm相当于1/683·W。 ;必须注意，不要把照度跟亮度的概念混淆起来。它们是两个完全不同的物理量。 照度表征受照面的明暗程度，照度与光源至被照面的距离的平方成反比。 亮度是表征任何形式的光源或被照射物体表面是面光源时的发光特性。如果光源与观察者眼睛之间没有光吸收现象存在，那么亮度值与二者间距离无关。;1.2、半导体物理基础 电阻率介于导体和绝缘体之间的物质则称为半导体。其特性是： （1）半导体的电阻温度系数一般是负的，它对温度的变化非常敏感。根据这一特性，制作了许多半导体热探测元件。 （2）半导体的导电性能可受极微量杂质的影响而发生十分显著的变化。如纯硅在室温下的电导率为5×10-6Ω-1·cm-1，当掺入硅原子数的百万分之一的杂质时，其纯度虽仍高达99．9999％，但电导率却上升至2Ω-1·cm-1，几乎增加了一百万倍！此外，随着所掺入的杂质的种类不同，可以得到相反导电类型的半导体。如在硅中掺入硼，可得到P型半导体；掺入锑可得到N型半导体等。 （3）半导体的导电能力及性质会受热、光、电、磁等外界作用的影响而发生非常重要的变化。例如沉积在绝缘基板上的硫化镉层不受光照时的阻抗可高达几十甚至几百MΩ，但一旦受到光照，电阻就会下降到几十kΩ，甚至更小。 常见的半导体材料有硅、锗、硒等元素半导体，砷化镓（GaAs）、铝砷化镓（Ga1-xAlxAs）、锑化铟（InSb）、硫化镉（CdS）和硫化铅（PbS）等化合物半导体，还有如氧化亚铜的氧化物半导体，如砷化镓-磷化镓固熔体半导体，以及有机半导体、玻璃半导体、稀土半导体等等。 ;1.2.1、半导体的能带 为了解释固体材料的不同