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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-11-25 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：形成基底结构，所述基底结构包括：基底；包括多个层叠的纳米片的沟道结构；第一材料层；所述基底结构包括相邻接的第一区和第二区；在所述第一区的基底结构上形成第一保护层；以所述第一保护层为掩膜，至少去除第二区的沟道结构顶部和侧壁以及基底表面上的第一材料层；去除部分所第一材料层之后，在第二区的基底结构上形成第二保护层；形成所述第二保护层之后，去除第二区的基底结构中相邻纳米片之间的第一材料层。所述第二保护层的形成能够有效保护第一区的基底结构中的第一保护层，防止严

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117116765 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202210530904.X (22)申请日 2022.05.16 (71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限

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