（芯片设计）MEMS工艺.ppt

MEMS工艺——半导体制造技术;主要内容;集成电路制造过程;一、 掺杂与退火;退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不 活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。 目的：激活杂质 消除损伤 结构释放后消除残余应力 退火方式： 炉退火 快速退火;1.扩散工艺;替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位： Ⅲ、Ⅴ族元素 一般要在很高的温度(950～1280℃)下进行 磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧化层作为杂质扩散的掩蔽层 间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙： Na、K、Fe、Cu、Au 等元素 扩散系数要比替位式扩散大6～7个数量级;扩散工艺主要参数;扩散的适用数学模型是Fick定律 式中： F 为掺入量 D 为扩散率 N 每单位基底体积中掺入浓度;扩散方式 液态源扩散：利用保护气体携带杂质蒸汽进入反应室，在高温下分解并与硅表面发生反应，产生杂质原子，杂质原子向硅内部扩散。 固态源扩散：固态源在高温下汽化、活化后与硅表面反应，杂质分子进入硅表面并向内部扩散。 ;液态源扩散;扩散系统：N2气源、纯化、扩散源、扩散炉 扩散工艺：预沉积，去BSG，再