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基于等离子体反应的高能中式体探测

现在使用的和研究的这些闪闪体基于以下中性反应来进行研究。

n+6Li→3He(2.75MeV)+4He(2.05MeV)

σ=520barn

n+10B→7Li(1.0MeV)+4He(1.8MeV)

→7Li(0.83MeV)+4He(1.47MeV)+

γ(0.48MeV)σ=2100barn

即,入射中子被探测材料捕获后引起核反应,反应所产生的带电粒子给出可探测的输出脉冲。在这个过程中探测材料中的同位素丰度(6Li为7.5%,10B为19.6%)和反应截面σ(1barn=10-28cm2)是十分重要的参数。

中子在材料中的衰减可以用以下的公式进行描述:

N(x)=N(0)exp(-μnx)

N(x)和N(0)分别表示在材料中深度为x和0时的中子通量,μn为材料对中子的线性吸收系数,μn=NAρσw/A,NA是阿伏加德罗常数,ρ是闪烁体的密度,σ是反应截面,w是中子敏感核子的质量分数,A是它们的原子质量。吸收长度l=1/μn,通过计算就可以得出完全吸收所需要的材料厚度。从图2中我们可以看到几种闪烁体的吸收长度与中子波长的关系。

目前主要研究并应用的是6Li基闪烁体,但同时也对10B基闪烁体(超热中子范围)给予了很大的关注。Gd基闪烁体的探测效率仅为80-85%且不能有效区分中子和γ射线,故虽然155Gd,157Gd的俘获截面较大,目前应