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p型hgcde离子刻蚀技术的微观机理

in柱倒装焊连通器

红外焦平面勘探技术是下一代乃至几代热成像技术发展的支柱。到目前为止,在该领域HgCdTe红外焦平面探测器技术仍处于主流地位。HgCdTe红外焦平面探测器是由HgCdTe红外探测器列阵芯片与Si读出电路芯片互连而成的。现在投入生产的主要有两种互连工艺:In柱倒装焊互连和环孔互连工艺。

从技术的来源看,In柱倒装焊互连技术是微电子技术中的高密度封装技术在红外焦平面探测器技术中的应用,可以将HgCdTe红外探测器列阵芯片与Si读出电路芯片互连视为一种特殊的封装。环孔互连技术是半导体平面工艺中的多层电极引线互连技术,在工艺中将HgCdTe红外探测器列阵芯片与Si读出电路芯片做成一个芯片,采用平面工艺中的垂直电极互连技术,实现HgCdTe探测器列阵芯片与Si读出电路芯片的电学连接。此外,环孔技术还有一个明显的优点,即在刻蚀互连环孔的同时,也形成了环形的P-N结,无需进行离子注入和杂质扩散,因此工艺相对简单。用这项技术可以制造很小的光敏元,从而制成集成度很高的二维列阵。美国DRS公司、英国BAE公司都已将该技术用于HgCdTe红外焦平面探测器批量生产。

作为环孔工艺的核心,P型HgCdTe离子刻蚀形成P-N结是制备混成红外焦平面探测器列阵的重要技术之一。虽然其成结工艺简单,但机理却十分特殊和复杂。在本文中对其进行了理论分析,讨论了形成