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一种基片处理腔室.pdfVIP

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  • 2023-12-06 发布于四川
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一种基片处理腔室.pdf

    本发明涉及半导体生产处理设备技术领域，具体是一种基片处理腔室，基片处理腔室连接晶圆传输腔室，包括：腔室本体；加热件；至少一个基片承托结构；加热件设置于腔室本体，用于调节所述腔室本体内部的温度，以使得基片表面的刻蚀副产物；基片承托结构设置于所述腔室本体的内部，且基片承托结构的第一面用于放置所述基片；腔室本体上与晶圆传输腔室的连接处设置有门阀，门阀用于通过所述基片，通过外部的电源对加热件进行温度的控制，可以调节整个腔室本体的温度，以实现对基片承托结构上基片的加热，降低现有技术中基座的厚度，更加合理利

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117174620A

    (43)申请公布日2023.12.05

    (21)申请号202311300649.0

    (22)申请日2023.10.09

    (71)申请人宸微设备科技（苏州）有限公司

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