模电填空题答案 - 试题.docx

流通路时，应将电路元件中的(电容)开路，(电感)短路。2．交的输入信号产生的附加相移不与频率成正比，也会使输出波形畸变，大器是一种输出端取样为电流，输入端比较量为电压的负反馈放大器，rd的估算式是

流通路时，应将电路元件中的(电容)开路，(电感)短路。2．交

的输入信号产生的附加相移不与频率成正比，也会使输出波形畸变，

大器是一种输出端取样为电流，输入端比较量为电压的负反馈放大器

，rd的估算式是(ITD)，其中热电压UT在T=300K时，

S

2．放大偏置的NPN管，三电极的电位关系是)。而放大偏置的PNP

U

E

U

U

C

B

(

)。

5．在放大区iC与iB的关系为

)。

B

)，对Si管而言iC≈(i

U

E

U

U

C

B

第一章

1．杂质半导体分为(N)型和(P)型。自由电子是(N)型半导体中的多子。空穴是(P)型半导体中的少子。

2．杂质半导体中的少子因(本征激发)而产生，多子主要因(掺杂)而产生。

3．常温下多子浓度等于(杂质)浓度，而少于浓度随(温度)变化显著。

4．导体中的(扩散)电流与载流子浓度梯度成正比；(漂移)电流与电场强度成正比。

5．当(P)区外接高电位而(N)区外接低电位时，PN结正偏。

6，PN结又称为(空间电荷区)、(耗尽层)、(阻挡层)和(势垒区)。

7．PN结的伏安方程为(I(euD/UT1))。该方程反映出PN结的基本特性是(单

向导电性)特性。此外，PN结还有(电容)效应和(反向击穿)特性。

8．PN结电容包括(势垒)电容和(扩散)电容。PN结反偏时，只存在(势垒)电容。反偏越大，该电容越(越小)。

9．普通Si二极管的导通电压的典型值约为(0.7)伏，而Ge二极管导通电压的典型值约为(0.3)伏。

10．(锗)二极管的反向饱和电流远大于(硅)二极管的反向饱和电流。

11．PN结的反向击穿分为(齐纳)击穿和(雪崩)击穿两种机理。

12．稳压管是利于PN结(反向击穿)特性工作的二极管。

13．变容二极管是利于PN结(反向)特性工作的二极管。

14．二极管交流电阻rd的定义式是(

r

rdu

D

ddi

Q

D

U

)，rd的估算式是(IT

D

)，其中

热电压UT在T=300K时，值约为(26)mV。

第二章

1．当发射结正偏，集电结反偏时，BJT工作在(放大)区，当发射结和集电结都(正偏)

时，BJT饱和；当发射结和集电结都(反偏)时，BJT截止。

(

管，三电极的电位关系是()。

3．为了提高β值，BJT在结构上具有发射区杂质密度(远远高于)基区杂质密度和基区(很薄)的特点。

4．ICBO表示(集电极反向饱和电流)，下标O表示(发射极开路)。ICEO表示(C-E

间的穿透电流)，下标O表示(基极开路)。这两个电流之间的关系是

I

I

CEO

CBO

I

B

BICBO

(

C

i

i

26

大偏置时，iD的方向是从(源)极到(漏)极。19．沟道预夹断出电压与同一信号差模输人时的输出电压几乎相同，其原因是(差放BO表示(集电极反向饱和电流)，下标O表示(发射极开路

大偏置时，iD的方向是从(源)极到(漏)极。19．沟道预夹断

出电压与同一信号差模输人时的输出电压几乎相同，其原因是(差放

BO表示(集电极反向饱和电流)，下标O表示(发射极开路)。I

)特性工作的二极管。14．二极管交流电阻rd的定义式是(U)

=(

r

bb

be

)，β=()。

gr

mbe

bc

r

rbe

1

9．一条共射输入特性曲线对应的函数关系是()。

if(u)

CCE

B

i常数

(

11．BJT的三个主要极限参数是(Cmax)、()和

I

i

i

CE

Eu常数

C

P

CM

(

)。

()。

6．共射直流放大系数与共基直流电流放大系数的关系是()。

7．在放大区，iE、iC和