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第二章半导体异质结的组成与生长本文档共42页；当前第1页；编辑于星期六\17点15分问题？立方晶与六方晶的区别与联系维达定理半导体合金材料（用途）MOCVDMBE自组织生长RHEED本文档共42页；当前第2页；编辑于星期六\17点15分第一节材料的一般特性第二节异质结界面的晶格失配第三节金属有机物化学气相外延生长第四节分子束外延法（MBE）内容本文档共42页；当前第3页；编辑于星期六\17点15分(1)晶格结构立方晶六方晶晶格常数:Si:5.43A,Ge:5.658AGaAs:5.56A,GaN:c=5.189?,a=3.192?第一节材料的一般特性1晶格结构本文档共42页；当前第4页；编辑于星期六\17点15分1双原子层堆积2偶极层2立六方结构本文档共42页；当前第5页；编辑于星期六\17点15分3六方晶GaN的极性(0001)N-FaceGa-Face(0001)两个面具有不同的表面结构、组成和化学特性,薄膜生长、掺杂和所含缺陷也有着极大的影响氧氢的吸附化学腐蚀特性也恰恰相反,氧、铝等杂质则更易于进入氮面的氮化稼薄镁的引入会导致薄膜极性的变化。本文档共42页；当前第6页；编辑于星期六\17点15分4氮化镓材料的极化本文档共42页；当前第7页；编辑于星期六\17点15分5晶体结构测量例对于c=5.189,(0002)面d=c/l=2.59452dsin?=n?q=arcsin(l/2d)=arcsin(1.5443/5.189)=17.312q=34.62deg本文档共42页；当前第8页；编辑于星期六\17点15分6半导体合金材料把两种半导体A和B混合成合金时，（1）混合材料的晶体结构。（2）原子在合金材料内的分布状况。设x为材料A的量，形成AxB1-x时，有以下几种情况：#两种材料分布在材料的不同区域，形成分凝相。在每个合金点上，A原子占据的概率为x,B原子占据的概率为(1-x).形成随机合金材料。A原子和B原子按一定规则形成周期结构，形成超晶格。在三元合金情况下,如GaAlAs,GaAlN,InGaN.禁带宽度随组分.本文档共42页；当前第9页；编辑于星期六\17点15分Eg(GaxIn1-xN)=Eg(GaN)*x+Eg(InN)*(1-x)–b*x*(1-x)Eg(GaxAl1-xN)=Eg(GaN)*x+Eg(AlN)*(1-x)–b*x*(1-x)禁带宽度的经验公式b适用范围InGaN3.2(strained)X0.20AlGaN0.25(strained)X0.25InGaN3.8(unstrained)X0.20Jpn.J.Appl.Phys.V36(1996),pp.L177-179本文档共42页；当前第10页；编辑于星期六\17点15分对直接禁带半导体材料，材料的禁带宽度满足：本文档共42页；当前第11页；编辑于星期六\17点15分AlGaAs,AlGaN,InGaN.等应用广泛,波长调节光限制载流子限制本文档共42页；当前第12页；编辑于星期六\17点15分第二节异质结界面的晶格失配晶格匹配：异质结的两种材料的晶格常数要尽可能匹配。1悬挂键2界面态3由界面态引起的非辐射复合。为什么要晶格匹配：本文档共42页；当前第13页；编辑于星期六\17点15分本文档共42页；当前第14页；编辑于星期六\17点15分悬挂键密度等于交界处键密度之差.SL本文档共42页；当前第15页；编辑于星期六\17点15分包含在这个面中的键数为2.可以看出，在（111）面上，异质结界面态密度最小。然而实际的器件结构中，由于（110）面易于解理这一性质，常常利用它来作光学谐振腔面。相应地，与其垂直的（100）常被用来作外延生长的异质结界面。因而，其界面态密度相对于其它晶面要高一些。=2.31=2.83=4本文档共42页；当前第16页；编辑于星期六\17点15分本文档共42页；当前第17页；编辑于星期六\17点15分第三节金属有机物化学气相外延生长本文档共42页；当前第18页；编辑于星期六\17点15分制造衬底材料加工制成晶片GaN外延生长制成外延晶片LED晶片制造制成LED晶粒LED晶粒封装制成LED成品蓝宝石Al2O3衬底GaN缓冲层n型GaN层InGaN量子阱发光层p型GaN层外延片外延层衬底层外延片本文档共42页；当前第19页；编辑于星期六\1