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少子寿命介绍;1.半导体简介
2.非平衡载流子及少子寿命
3.少子寿命影响因素
4.少子寿命的测试方法简介
5.WT-2000的运用;1.半导体(Semiconductor);硅(Silicon);能带(energyband);掺杂;N型;微波源和信号接收(10±0.
本征复合(直接复合)
杂质、电阻率、温度、表面状态、硅片厚度等。
τ越大，载流子复合能力愈弱。
n0、p0分别为平衡时电子和空穴的浓度。
同时少子寿命减小，增加漏电流从如使开路电压减小。
辐射复合：电子和空穴直接复合，辐射出光子。
在多种独立的复合机制下的实际的寿命为有效少子寿命。
在光激发下，一开始载流子
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