半导体制程概论chapter8萧宏.pptxVIP

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HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm2目標至少列出三種最常使用的摻雜物辨認出至少三種摻雜區域描述離子佈植的優點描述離子佈植機的主要部分解釋通道效應離子種類和離子能量的關係解釋後佈植退火辨認安全上的危害

HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm3離子佈植簡介安全性硬體製程概要

HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm4材料設計光罩IC生產廠房測試封裝最終測試加熱製程微影製程離子佈植與光阻剝除金屬化化學機械研磨介電質沉積晶圓晶圓製造流程圖蝕刻與光阻剝除

HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm5簡介:摻雜半導體什麼是半導體?為什麼半導體需要被摻雜?什麼是n型摻雜物?什麼是p型摻雜物?

HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm6簡介摻雜半導體兩種摻雜的方法擴散離子佈植離子佈植的其他應用

HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm7摻雜半導體：擴散等向性製程無法單獨控制摻雜物的輪廓和摻雜物的濃度在1970年代中期以後被離子佈植取代.

HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm8摻雜半導體：擴散最先用來摻雜半導體在高溫爐中完成使用二氧化矽光罩仍然使用在摻雜物驅入(drive-in)研發在超淺接面形成的應用

HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm9沉積摻雜氧化層矽基片二氧化矽沉積摻雜氧化層

HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm10氧化矽基片二氧化矽

HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm11驅入矽基片二氧化矽摻雜接面

HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm12剝除和清洗矽基片二氧化矽摻雜接面

HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm13摻雜半導體：離子佈植用在原子和核的研究1950年代觀念便已被提出在1970年代中期才被引進到半導體製造.

HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm14摻雜半導體：離子佈植單獨控制摻雜物輪廓(離子能量)和摻雜物濃度(離子束的電流和佈植的時間組合控制)非等向性摻雜物輪廓容易達到重摻雜物(如：磷和砷)的高濃度摻雜.

HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm15匣極的對準失誤匣極氧化層n-型矽n-型矽p+S/Dp+S/D金屬匣極金屬匣極對準的對準失誤的

HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm16多晶矽n+P型矽n+二氧化矽P+離子佈植：磷

HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm17離子佈植和擴散的比較光阻二氧化矽矽矽離子佈植擴散摻雜區域接面深度

HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm18離子佈植和擴散的比較

HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm19離子佈植控制離子束電流和布植時間控制摻雜物的濃度離子能量控制接面深度摻雜物濃度是非等向性

HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm20離子佈植的應用

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