- 8
- 0
- 约1.56万字
- 约 15页
- 2023-12-29 发布于上海
- 举报
PAGE1
PAGE1
半导体器件物理复习题
一.
一.
平衡半导体:
概念题:
所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体,是指无外界(如电压、电场、磁场或温度梯度等)作用影响的半导体。在这种情况下,材料的所有特性均与时间和温度无关。
所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体,是指无外界(如电压、电场、磁场或温度梯度
等)作用影响的半导体。在这种情况下,材料的所有特性均与时间和温度无关。
本征半导体:
本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。
本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。
形成P型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子(
形成P型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子(一般为元素周期表中的Ⅲ族元素)。
施主(杂质)原子:
形成
形成N型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子(一般为元素周期表中的Ⅴ族元素)。
杂质补偿半导体:
半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。
半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。
兼并半导体:
对
对N型掺杂的半导体而言,电子浓度大于导带的有效状态密度,
费米能级高于导带底(
费米能级高于导带底(E
E
?0);对P型掺杂的半导体而言,空穴浓度大于价带的有效
F c
状态密度。费米能级低于价带顶(E
?E ?0)。
F v
在导带能量范围(
在导带能量范围(E ~?)内,对导带量子态密度函数g?E??
4??2m*?3/2
n
h3
E?E
c
与
c
c
电子玻尔兹曼分布函数
电子玻尔兹曼分布函数
f ?E??exp???E?EF
F
?
kT
?
? 的乘积进行积分(即
?
n
n
0
??
?4? 2m*
?
?3/2
n
h3
E?E exp??
?
c
?
E?E
kT
F?dE)得到的N
?
?
c
?2?
? ?
2 mkT
*
?
3
2
?
n
h2
?
?
称谓导带中
电子的有效状态密度。
Ec
空穴玻尔兹曼函数f ?
空穴玻尔兹曼函数
f ?E??exp??EF?E?
的乘积进行积分(即
F
??
kT
??
p
0
??
Ev4? 2m*
?
?3/2
p
h3
E?Eexp?? F
?
E ?E?
v
?
kT
?dE)得到的N
?
v
?2?
? ?
2 mkT
*
?
3
2
??
?
p
h2
?
称谓价带空
?
穴的有效状态密度。
在价带能量范围(
在价带能量范围(??~E)内,对价带量子态密度函数g?E??
v v
4??2m*?3/2
p
h3
E?E与
v
c
为参考,导带中的平衡电子浓度:
n ?N
0 c
? E?E
?exp?? ckT F
?
?
??其含义是:导带中的平衡电子浓度等于导带中的有效状态密度乘
以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。
以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。
以价带顶能量E
v
为参考,价带中的平衡空穴浓度:
? E ?E?
p ?Nexp?? F
v?其含义是:价带中的平衡空穴浓度等于价带中的有效状态密度乘
0 v ?
kT ?
以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。
以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。
导带量子态密度函数
导带量子态密度函数g
? ?
E ?
c
4??2m*?3/2
n
h3
E?E
c
价带量子态密度函数
价带量子态密度函数g
? ?
E ?
v
4??2m*?3/2
p
h3
E?E
v
3?2?m*kT?2
3
导带中电子的有效状态密度N
?2? n ?
c ? h2 ?
3?2?m*kT?2
3
价带中空穴的有效状态密度N
v
?2?
?
p ?
?h2 ?
?
本征费米能级E :
Fi
是本征半导体的费米能级;本征半导体费米能级的位置位于禁带中央附近,
是本征半导体的费米能级;本征半导体费米能级的位置位于禁带中央附近,
E
E ?1?E?E??3kTln?m*??E
Fi
2
c
v
4
?
?m*?
p?
3kTln?m*?
midgap
4
?
p?
; 其 中 禁 带 宽 度
n
?m*?
n
E
E ?E?E。?
g c v
本征载流子浓度n:
i
本征半导体内导带中电子浓度等于价带中空穴浓度的浓度n
本征半导体内导带中电子浓度等于价带中空穴浓度的浓度
n ?p
0 0
?n。硅半导体,在
原创力文档

文档评论(0)