碳化硅行业专题报告：关注国产衬底厂商扩产、器件厂商上车进展.docVIP

碳化硅行业专题报告：关注国产衬底厂商扩产、器件厂商上车进展

1.解决里程焦虑，碳化硅是新能源汽车800V高压快充标配

SiC属于第三代半导体，性能参数优异。以碳化硅为代表的第三代半导体材料具有禁带宽度大、饱和电子漂移速率高、热导率高、击穿电场强度高等优势：1）更大的禁带宽度可以保证材料在高温下，电子不易发生跃迁，本征激发弱，从而耐受更高的工作温度。碳化硅的禁带宽度约为硅的3倍，理论工作温度可达400℃以上。2）饱和电子漂移速率指电子在半导体材料中的最大定向移动速度，决定器件的开关频率。碳化硅的饱和电子漂移速率是硅的两倍，有助于提高工作频率，将器件小型化。3）高温是影响器件寿命的主要原因之一，热导率代表了材料的导热能力，碳化硅的高热导率可以有效传导热量，降低器件温度，维持正常工作。4）临界击穿场强指材料发生电击穿的电场强度，一旦超过该数值，材料将失去绝缘性能，进而决定了材料的耐压性能。碳化硅的临界击穿场强约为硅的10倍，能够耐受更高的电压，更适用于高电压器件。

碳化硅器件旨在为应用系统“增效+降本”，新能源汽车贡献主要市场。根据Yole的数据，2022年碳化硅功率器件市场规模为18亿美元，2028年有望达到89亿美元，22-28年CAGR高达31%。碳化硅功率器件可应用于汽车、能源、交通、工业等多个领域，其中汽车占据