γ-Fe4N软磁复合材料的磁性及损耗特性.pdfVIP

*

g-FeN软磁复合材料的磁性及损耗特性

4

软磁复合材料在光伏逆变器、新能源汽车及充电桩等新兴电力电子行业的应用前景广阔.

目前研究者们

聚焦于开发新型软磁复合材料,

达到匹配以SiC和GaN为主的第3代高频宽禁带半导体的目标.

本文利用氨

gg

气氮化羰基铁粉制备得到高电阻率的-FeN,

并证实其具备优异的软磁性能,

对-FeN进行球磨处理使其44

g

成为静磁易面-FeN粉体,

所获得的易面粉体与聚氨酯(PU)混合制成软磁复合材料.

与未球磨静磁易面化4

gg

处理的非易面-FeN复合材料相比,

静磁易面-FeN软磁复合材料具有更高的磁导率,

更低的功率损耗.

与44

g

同类软磁复合材料相比,

通过氮化工艺降低磁性铁颗粒内涡流效应,

静磁易面-FeN软磁复合材料具有优4

g

异的高频软磁性能.

静磁易面-FeN为软磁复合材料匹配第3代宽禁带半导体的高频应用提供了一种新思路.4

g

关键词：-FeN,

氮化,

球磨,

功率损耗4

阻率的绝缘材料按比例均匀混合,

使得更易压制成

1

引言指定形状,

SMCs电阻率的增大使其涡流损耗大幅

减小,

SMCs的高磁通密度又保证其具有较高的功

近年来,

由于以燃油为动力的驱动模式正在逐率转换效率,

因此SMCs有望充分释放WBG的

渐被清洁无污染的电力驱动所取代,

电力设备向着[2]

潜力.

SMCs中的磁性基体主要以铁基化合物为

高频化、小型化、集约化、轻量化的方向发展.

磁性主,

电阻率低、涡流损耗大,

为此研究者们希望找

材料作为其重要组成部分,

它的磁性能和损耗性能到一种具有优异磁性能且电阻率高的基体材料.

由

g

备受关注.

过去由于功率半导体的工作频率低,

磁于-FeN的N原子进入Fe晶格间隙,

其电阻率4

–8–6[3]

性材料在低频下可以正常工作.

随着SiC和GaN由铁的9.78×10

W·m增至1.165×10

W·m,

且

为主的第3代宽禁带半导体(WBG)的逐渐市场拥有与铁相当的饱和磁化强度(1.86

T)和较低的

化,

开关电源以及片上电压等其高频开关损耗在电矫顽力(55.4

Oe,

1

Oe

=

79.5775

A/m),

其居里

力设备中的总损耗占比显著降低,

功率效率大幅提温度为767

K,

具有良好的稳定性和抗氧化性能,