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避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法.pdfVIP

避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法.pdf

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    本发明涉及多晶硅还原炉技术领域，尤其涉及一种避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法。本发明通过还原炉进气温度保持在100℃以上，并且在三氯氢硅的进气管道上设置开度为1％的管道阀门，避免进气管道内沉积的液体进入还原炉，避免还原炉内雾化硅芯长毛刺影响多晶硅产物的质量，同时也避免还原炉内底盘起火，保护还原炉的设备安全，节约停炉时间，降低生产成本。本发明解决了现有技术中多晶硅还原炉容易出现异常导致产量和质量较差的问题，达到了避免多晶硅还原炉出现异常，保护还原炉的同时还增加产量和质量目的。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117326558A

    (43)申请公布日2024.01.02

    (21)申请号202311237606.2

    (22)申请日2023.09.23

    (71)申请人青海丽豪半导体材料有限公司

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