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表 面 活 性 剂 的 回 收 方 法
蚀刻剂残余物的去除
将一个硅晶片样品,(1,cmXl1Cnl的块）在嬴压装置中（体积；38ml)静宜，所述样品上已经形成了抗蚀剂图案并经过了干蚀刻。然后加入30mg表面活性剂F..,(C·F(CF:3.)CF心）3COO(C:HiCH2.0)1CH3,;,导入二氧化碳直
到1501的正在搅拌下将容器中的内容物的在C循环3。分钟q们环口o
g硅胶的柱安装在管道中，以去除无机残余物和有机聚合残余物）。在导入加压至150atm的二氧化碳的同时，以5mlll/min的速率萃取该晶片上
残留的表面活性剂20分钟，从而将其去除凸在 相同的条件下，不采用循环而进行对比实验。分别清除二氧化碳后，对所述晶片样品进行SEM观测，确认己去除了蚀刻剂残余物。根据SEM观测，以实验前后100nm
XlOOnm区域存在的颗粒数堂的比率来确定残余物的去除程度。采用循环泵时的去除程度约为90％没有采用循环泵时的去除程度仅约为40%。
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