GaN基互补型逻辑电路的研究进展及挑战.pdfVIP

第23卷第1期电子与封装

第23卷袁第1期总第237期

Vol.23袁No.1ELECTRONICSPACKAGING2023年1月

窑综述窑

GaN基互补型逻辑电路的研究进展及挑战*

122334

张彤刘树强何亮成绍恒李柳暗敖金平

袁袁袁袁袁

渊1.枣庄学院人工智能学院袁山东枣庄277160曰2.工业和信息化部电子第五研究所袁广州510610曰

3.吉林大学超硬材料国家重点实验室袁长春130012曰4.江南大学物联网工程学院袁江苏无锡214122冤

摘要院氮化镓GaN冤基异质结场效应晶体管具有工作频率高尧导通损耗低等优点袁已经开始广泛

应用在多种高频尧高效功率转换器中遥为了充分发挥GaN功率器件的潜能袁需要将功率开关器件和

控制器尧驱动等外围电路进行全GaN单片集成以减少寄生参数遥互补型逻辑电路是实现集成的关键

元电路之一袁但其研究起步较晚遥介绍了n沟道和p沟道GaN增强型器件的制备方案及互补逻辑电

路的研究进展遥从电学性能匹配性及稳定性出发探讨了现有互补型逻辑电路面临的关键科学问题袁

可以为GaN基互补型逻辑电路的研究提供参考遥

关键词院GaN曰功率集成电路曰增强型器件曰互补金属-氧化物-半导体曰逻辑电路曰稳定性

中图分类号院TN432文献标志码院A文章编号院1681-10702023冤01-010101

DOI:10.16257/ki.1681-1070.2023.0001

中文引用格式院张彤袁刘树强袁何亮袁等.GaN基互补型逻辑电路的研究进展及挑战[J].电子与封装袁2023袁23

1冤院010101.

英文引用格式院ZHANGTong,LIUShuqiang,HELiang,etal.ResearchprogressandchallengesofGaN-based

complementarylogiccircuits[J].ElectronicsPackaging,2023,23(1):010101.

ResearchProgressandChallengesofGaN-BasedComplementaryLogicCircuits

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ZHANGTong,LIUShuqiang,HELiang,CHENGShaoheng,LILiu爷an,AOJinping

1.SchoolofArtificialIntelligence,ZaozhuangUniversity,Zaozhuang277160,China曰

2.No