模拟电子技术基础期末试题.docxVIP

填空题

1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电下的正向压约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电下的正向压约为 _0.2_V。

2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。

3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电大于漂移电，耗尽层变窄。

4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平、连续变化的电压或电信号下工作的电子电及其技术，称为模拟电子技术。

6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。

7、硅二极管导通后，其管压是恒定的，且随电而改变，典型

值为 0.7 伏；其门坎电压V约为 0.5 伏。

th

8、二极管正向偏置时，其正向导通电由 多数 载子的 扩散

运动形成。

9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载子为电子—空穴对。

10、因掺入杂质性质同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。

11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整电和反映反向特性的反向击穿电压。

12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，导通后在较大电下的正向压约为 0.7V。

15、N型半导体中的多数载子是 电子 ，少数载子是 空穴 。

16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功放大电可分为甲类 、 乙类 、 甲乙类 三种基本类型。

17、在阻容耦合多级放大电中，影响低频信号放大的是 耦合和旁 电容，影响高频信号放大的是 结 电容。

18、在NPN三极管组成的基本共射放大电中， 如果电的其它参数

变，三极管的β增加，则I

BQ

增大 ，I

CQ

增大 ，U

CEQ

减小 。

19、三极管的三个工作区域是 截止 ， 饱和 ， 放大 。集成

运算放大器是一种采用 直接 耦合方式的放大电。

20、某放大电中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压 V=

a

1.2V，V=0.5V,V=3.6V,试问该三极管是 硅管 管（材），

b c

NPN 型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的 C 。

22、三极管实现放大作用的外部条件是： 发射结正偏、集电结反

偏 。某放大电中的三极管，测得管脚电压V=-1V，V=-3.2V,

a b

V =-3.9V,这是 硅 管（硅、锗）， NPN 型，集电

c

极管脚是a。

23、三种同耦合方式的放大电分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和_变压器耦合_，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。

24、在多级放大电中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。

25、某放大电在负载开时的输出电压为 4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压为 3V，这说明放大电的输出电阻为 4kΩ 。26、为保证三极管工作在放大区，要求：

①发射结 正向 偏置，集电结 反向 偏置。②对于ＮＰ

Ｎ型三极管，应使V

BC

＜0 。

27、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和变

压器耦合三大类。

28、在三极管组成的三种同组态的放大电中，共射和共基组态有电压放大作用，共射组态有电放大作用，共射和共集组态有倒相作用；共集组态带负载能强，共集组态向信号源取的电小，共基组态的频响应好。

29、三极管放大电的三种基本组态是共集、共基、共

射。

30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合，变压器耦合。

31、在单级共射放大电中，如果输入为正弦波形，用示波器观察

V和V的波形，则V和V的相位差为 1800 ；当为共集电极电时，

O I O I

则V和V的相位差为 0 。

O I

32、放大器有两种同性质的失真，分别是 饱和 失真和 截止

失真。

33、晶体管工作在饱和区时，发射结 a ，集电结 a ；工作在放大区时，集电结 b ，发射结 a 。（填写a正偏，b反偏，c偏）34、在共射、共集和共基三种放大电组态中，希望电压放大倍数大、

输出电压与输入电压反相，可选用

共射

组态；希望输入电阻大、

输出电压与输入电压同相，可选用

共集

组态。

35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻 大 ，热稳定性