1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体结构及其制造方法、存储芯片、电子设备.pdfVIP

  • 3
  • 0
  • 约3.34万字
  • 约 47页
  • 2024-01-06 发布于四川
  • 举报

半导体结构及其制造方法、存储芯片、电子设备.pdf

    本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法、存储芯片、电子设备，半导体结构包括：基底，所述基底上具有堆叠结构，所述堆叠结构包括在第一方向排列的多个存储单元组，所述存储单元组包括多层在第二方向排列的多个存储单元；所述堆叠结构还包括在所述第二方向排列的多条平行信号线，每条所述平行信号线连接一层所述存储单元；在所述第一方向排列的多个引线柱，所述多个引线柱与所述多条平行信号线沿第三方向排布，且所述引线柱与所述平行信号线连接。本公开实施例至少可以提高半导体结构的集成度。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117352489A

    (43)申请公布日2024.01.05

    (21)申请号202210709274.2

    (22)申请日2022.06.21

    (71)申请人长鑫存储技术有限公司

    地址23

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >