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TFT-LCD阵列基板栅极半透掩膜版设计研究

乔亚峥 沈鹭 江鹏 刘信 丁俊

（武汉京东方光电科技有限公司湖北省武汉市430040）

摘要：本文采用40%和45%透光率的栅极半透掩膜版，详细分析了各透光率下的曝光特性、工艺波动性、

生产节拍、量产可行性等。研究表明：栅极半透掩膜版透光率设计可结合产品性能要求和生产节拍进行选择。高

端产品，工艺稳定性要求高，需求品质优，可以选择40%透光率；中低端产品，工艺波动性容忍度大，考虑生产

产能，可以选择45%透光率。

关键词：超维场转换技术；栅极半透掩膜版；透光率

1ADS显示模式

液晶显示技术作为目前市占率最高的显示技术，

具有及其广阔的应用场景，其中先进的超维场转换技术

(AdvancedDimensionofSwitching,ADS)显示模式具有

宽视角、快响应和高对比度等优势，广泛应用于TFT-

[1-3]

LCD行业。在ADS显示模式中，公共电极和像素电

极均存在于Array基板上，交叠面积构成像素的存储电

[4]

容。

目前，ADS显示模式阵列基板制程按照掩膜版次

数可划分为三种：6道掩膜版、5道掩膜版和4道掩膜

版工艺（如图1所示）。从图中可以看到，公共电极(ITO)

(a)6道(b)5道(c)4道

和栅极(Gate)的制程相邻，为第一/第二道掩膜版。采

用栅极半透掩膜版，将两者合二为一，既减少了一张掩图1：阵列基板制程工艺

膜版，又减少了一次光刻制程，大幅度的缩短了生产周表1所示），分别制取透光率40%、45%下的阵列基板

[5]

期，提高产能，降低成本。样品。

栅极半透掩膜版具有三种透光率：0%、100%及半

2.2测试方法

透区。半透区透光率的设计，与掩膜版曝光量的选择、

栅极半透掩膜版工艺完成后，采用SNUCDHT

产能及工艺稳定性息息相关。本文对40%和45%透光

设备，测量各基板样品像素有效区域(ActiveArea，

率的栅极半透掩膜版进行系统性研究，详细分析了透光

AA区)半透光位置光刻胶剩余厚度(HalfToneTHK，

率对生产节拍、曝光特性、工艺稳定性及量产可行性的

HTTHK)、光刻后特征线宽(DevelopmentInspection

影响。

CriticalDimension，DICD)，及外围电路扇形区(Fanout)

2实验方法DICD，并在光学显微镜下判定大板是否存在曝光不

良。主要关注光刻后栅极距公共电极缝隙距离(Gate-

2.1样品制备

ITOSpaceDICD)、光刻后栅极线宽(GateLineDICD)、