等离子体刻蚀.pptxVIP

等离子体刻蚀;干法刻蚀的一般用途：光刻后的图形转移，器件的剥离等，湿法刻蚀无法完成的各向异性刻蚀。;图形转移过程;;2）刻蚀参数;刻蚀剖面;选择比;均匀性是一种衡量刻蚀工艺在整个硅片上，或整个一批，或批与批之间刻蚀能力的参数。如微负载效应。

残留物是刻蚀后留在硅片表面不想要的材料。

聚合物包括刻蚀剂和反应的生成物。

等离子体诱导损伤包括带能离子、电子和激发的等离子体可引起对硅片上的敏感器件引起等离子体诱导损伤。

颗粒污染等离子体在硅片表面附近产生的颗粒。;3）刻蚀的微观机理

;刻蚀具体的微观过程：;化学的过程

1具有化学活性的分子或原子从源头，到达刻蚀的表面，

2和表面物质的分子发生反应，生成反应物分子，

3离开表面，

4气流带走离开刻蚀物体。

此过程具有各向同性。;;;;4）具体的仪器原理介绍（RIE、ICP和ECR）;RIE（反应离子刻蚀）

;把平板型的反应室的样品电极接射频RF，反应器壁接地。系统的电位分布如图;;等离子体的产生

;ICP（感性耦合等离子体刻蚀）;;;;;IonDensityversusCoilPower

;;ComparisonofPlasmaSourceTechnology;;;5）具体实验参数对刻蚀的影响;;;;;;;6）本实验室刻蚀仪器的介绍（TRIONTECHNOLOGYMINILOCKIIIICP）;;总体框图;;工艺