第五章 摄像管.pptxVIP

光电成像器件;光电成像器件;光电成像器件分类;一、简介：;;4、工作过程

具体分为以下三个过程：

（1）光电转化：光敏元件接收输入图像的辐照进行光电转换，并将二维光强转变为电量，即光学图像转变成电荷（电位）图像；

（2）电荷积累与存储：摄像管的电荷存储元件在一帧的周期内连续积累光敏元件产生的电量，并保持电荷量在空间的分布，同时对对电信号进行放大和增强，即对电荷图像进行存贮和积累。

存储电荷的元件称之为靶；

（3）信号阅读：摄像管的电子枪产生空间二维扫描的电子束，在一帧的周期内完成全靶面的扫描，即对存贮电荷图像的各个像素进行有序扫描，输出与输入信息成比例的二维电信号。

;5、摄像管的种类;摄像管的分类（按光电变换的形式）：

（1）外光电变换型（光电发射型a）摄像管

（2）内光电变换型（光电导型b）视像管

;移像区;6、摄像管的优缺点;二、光电导摄像管（视像管）的结构和工作原理

;（1）光电靶

光电靶的最外层是玻璃面板，其内侧涂上薄薄的二氧化锡（SnO2）透明导电层作为摄像管的透明导电极。透明导电层与一圈金属环（即靶环）相通，摄像管的信号就是从靶环上输出的，如图示。然后在通明导电层上再蒸镀上一层氧化铅（Pbo）或硒砷碲（Se、As、Te）等光导膜。

;（2）电子枪

电子枪由灯丝、阴极、控制栅极、加速极、聚焦极和网电极等组成。

当阴极被灯丝加热到2000K时，便发射大量电子，在阴极周围形成电子云。控制栅极是套在阴极外面的金属圆筒，圆筒顶部中心处开有一个小孔，阴极发出的电子只能从这小孔内射出，在控制栅极上加有负电压（约50V），电压的大小决定了栅极小孔中发射出来的电子的多少。加速极上有较高的正电压（约300V），使从栅极小孔中飞出的电子得到加速，加速极顶部有一个限制小孔，它使从孔中飞出的电子束很细。

;;;三、光电发射型摄像管（摄像管）;

3、光电发射型摄像管具有几个共同特征：

①采用光电阴极把光学图象转换成为电子图像；

②存在移像区，把光电转换和信号存储两个部分分开；

③具有电子图象倍增机制，??应率较高，适宜做微光摄像。

4、移像区的作用是使光电阴极产生的光电子在运动过程中获得能量而加速，以便在靶上产生更多的电荷，提高摄像管的响应率。

在靶面电位图像建立后有

电子枪用细电子束进行扫描而

获得视频信号。

在常见的摄像管中几乎全

部采用慢电子束扫描。;四、电子束的聚焦与偏转;;五、光导靶和存储靶：;;（１）硅靶

硅靶具有光谱

响应范围宽、

量子效率高、

抗烧伤能力强

等优点。

当电子束扫描每个P型岛时，PN结反向偏置，结电容被充电到靶电源电压。有光照时光生电子通过信号板入地，光生空穴积累到P型岛。如果光照是均匀的，靶的扫描面电位只是均匀地升高。如果光照不均匀，是一幅光学图象，则扫描面上各P型岛的电势分布，将正比于入射光学图象的亮度分布，亮度高的点，所对应的P型岛的电势也高。当电子束再次扫描各个二极管时，其电位被拉平到阴极电位，产生的光电流流过负载电阻就形成与光学图象对应的视频信号。;（２）氧化铅靶;2、存储靶（光电发射型摄相管的靶）：

(１)．二次电子导电摄像靶（SECSecondaryElectronConduction）

???SEC管是60年代初出现的一种高灵敏度摄象管，适于微光摄象，它是

利用二次电子传导作用进行电子增强的。;;(２)．增强硅靶（SITSiliconIntensifiedTarget）;;五、摄像管的主要特性参数;1.灵敏度：S

定义：在2856K色温标准光源单位输入光通量(lm)或单位辐射通量(W)照射下，器件所产生的输出信号电流。

工程实践中：

常用能产生正常图象所需的摄像管输入面最低光照度Lmin来表征器件的灵敏度。;2.光电转换特性:

摄像器件输出的光电流与入射的光照度之间的函数关系。通常表示为：

γ=1图像灰度均匀

γ﹤1灰度畸变，但低照度灵敏度

增加高照度下的光电特性呈一

定的饱和状态

γ﹥1输入图像的对比度增加

γ又称为灰度系数

;;;;;;MTF值与空间频率的关系曲线（调制传递函数曲线）

最典型的MTF曲线，