N型及P型MOS管、CMOS电路、芯片及其制作方法.pdfVIP

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2024-01-20 发布于四川
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本申请实施例提供了一种N型及P型MOS管、MOS电路、芯片及其制作方法，该N型MOS管包括：由多层不同掺杂的硅或锗硅组成的第一基本结构，第一基本结构上具有在垂直方向具有贯穿孔的第一环形结构；位于第一环形结构内与第一环形结构绝缘的第一栅极；第一基本结构包括第一层第一掺杂浓度的N型Si；第一层第一掺杂浓度的N型Si上的一层P型Si或GeSi；P型Si或GeSi上的第二层第一掺杂浓度的N型Si；第一层第一掺杂浓度的N型Si和第二层第一掺杂浓度的N型Si一个作为源极，一个作为漏极；源极和漏极的第一掺杂浓

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117423743A

(43)申请公布日2024.01.19

(21)申请号202211401256.4

(22)申请日2022.11.09

(71)申请人北京超弦存储器研究院

地址100

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