晶体结构缺陷.pptVIP

3）缺陷浓度与温度有关，这点可以从平衡常数看出。随温度升高，缺陷浓度增加。4）非化学计量化合物都是半导体。这为制造半导体元件开辟了一个新途径，半导体材料分为两大类：一是掺杂半导体，如Si、Ge中掺杂B、P，Si中掺P为n型半导体；二是非化学计量化合物半导体，即上面所介绍的这几类。第62页，讲稿共94页，2023年5月2日，星期三3.4位错一、位错的概念二、完整晶体的塑性变形方式三、位错的基本类型第63页，讲稿共94页，2023年5月2日，星期三一、位错的概念1、定义：实际晶体在结晶时，受到杂质、温度变化或振动产生的应力作用或晶体由于受到打击、切割等机械应力作用，使晶体内部原子排列变形，原子行列间相互滑移，不再符合理想晶体的有序排列，形成线状缺陷，这种线状缺陷称为位错。第64页，讲稿共94页，2023年5月2日，星期三2、起源：塑性变形理论滑移模型，1920线缺陷（位错）模型,1934建立位错理论,1956第65页，讲稿共94页，2023年5月2日，星期三二、完整晶体的塑性变形方式1、滑移：在外力作用下，晶体的一部分相对于另一部分，沿着一定晶面的一定晶向发生平移，使晶体面上的原子从一个平衡位置平移到另一个平衡位置，此过程称为滑移。与此同时，晶体发生了塑性变形。第66页，讲稿共94页，2023年5月2日，星期三ττ滑移的结果：塑性