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三极管的主要参数

1、直流参数

集电极一基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流,它只与温度有关,在一定温度下是个常数,所以称为集电极一基极的反向饱和电流.良好的三极管,Icbo很小,小功率锗管的Icbo约为1~10微安,大功率锗管的Icbo可达数毫安,而硅管的Icbo则非常小,是毫微安级.

集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电

压Vce时的集电极电流.Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)IcbooIcb和oIceo受温度影响极大,它们

是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定,小功率锗管的Iceo比硅管大.

发射极--基-极反向电流Iebo集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的

电流,它实际上是发射结的反向饱和电流.

直流电流放大系数β1(或hEF)这是指共发射接法,没有交流信号输入时,集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值,即:

β1=Ic/Ib

2、交流参数

交流电流放大系数β(或hfe)这是指共发射极接法,集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比,即:

β=△Ic/△Ib

一般晶体管的β大约在10-200之间,如果β太小,电流放大作用差,如果β太大,电流放大作用虽然大,但性能往往不稳定.

共基极交流放大系数α(或hfb)这是指共基接法时,集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的

变化量△Ie之比,即:

α=△Ic/△Ie

因为△Ic△Ie,故α1.高频三极管的α0.90就可以使用α与β之间的关系:

α=β/(1+β)

β=α/(1α-)≈1/-α()1

截止频率fβ、fα当β下降到低频时0.707倍的频率,就是共发射极的截止频率fβ;当α下降到低频时的0.707倍的频率,就是共基极的截止频率fαofβ、fα是表明管子频率特性的重要参数,它们之间的关系为:

fβ≈-(α1)fα

特征频率fT因为频率f上升时,β就下降,当β下降到1时,对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数.

3、极限参数

集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2,这时的Ic值称为ICM.所以当Ic超过ICM时,虽然不致使管子损坏,但β值显著下降,影响放大质量.

集电极---基-极击穿电压BVCBO 当发射极开路时,集电结的反向击穿电压称为BVEBO.

发射极----基-极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时,发射结的反向击穿电压称为BVEBO.

集电极----发-射极击穿电压BVCEO 当基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,使用时如果VceBVceo,管子就会被击穿.

集电极最大允许耗散功率PCM集电流过Ic,温度要升高,管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM.管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积,即Pc=Uce×Ic.使用时庆使Pc

PCM与散热条件有关,增加散热片可提高PCM.

2、Cds---漏-源电容

Cdu---漏-衬底电容

Cgd---栅-源电容

Cgs---漏-源电容

Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容

D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）

ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流

IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流

IDSM---最大漏源电流

IDSS---栅-源短路时，漏极电流

IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）

IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流

3、IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流

IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流

IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流

Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导

Gp---功率增益

Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导

gds---漏源电导

K---失调电压温度系数K