NP4606G 30V N、P沟道增强型MOSFET TO252-4 深圳恒锐丰科技.pdfVIP

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NP4606G 30V N、P沟道增强型MOSFET TO252-4 深圳恒锐丰科技.pdf

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NP4606G

30VNAndP-ChannelEnhancementModeMOSFET

DescriptionSchematicdiagram

TheNP4606Gusesadvancedtrenchtechnology

司

toprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.TheD1/D2

公

complementaryMOSFETsmaybeusedtoformalevel

限

shiftedhighsideswitch,andforahostofother

applications.有司

技

GeneralFeatures公

科

N-channel：限N-CHP-CH

丰

VDS=30V，ID=12A有

锐

RDS(ON)=17mΩ(typical)@VGS=10V司

恒技Markingandpinassignment

RDS(ON)=25mΩ(typical)@VGS=4.5V公

P-Channel：科

市丰限

圳VDS=-30V，ID=-12A有

R=28mΩ(typical)@VGS-10VD1/D2

深DS(ON)锐技司

RDS(ON)=36mΩ(typical)@VGS-4.5V

恒公

ExcellentgatechargexRproduct(FOM)

市DS(ON)科NP4606

Verylowon-resistanceRDS(ON)丰限XXXX

圳YYYY

150°Coperatingtemperature锐有

深

Pb-freeleadplating恒技司

100%UIStested市科公

S1G1S2G2

Application圳丰限

锐有

DC/DCConverter深XXXX—WaferInformation司

Idealforhigh-frequencyswitchingand恒Y

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