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本发明提供一种去除重掺品硅片药液残留的方法，所述方法包括如下步骤：(1)腐蚀前洗净：将硅片置于SC1槽内，然后经过水洗；(2)碱洗净：将步骤(1)腐蚀前洗净的硅片，使用氢氧化钾水溶液进行洗涤，然后再用水洗，进一步将硅片进行甩干后，得到硅片；本发明提供的方法，能够有效去除重掺品硅片药液残留，通过增加氢氧化钾，在荧光灯下和聚光灯下观察硅片均未见污迹不良发生。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117476439A
(43)申请公布日2024.01.30
(21)申请号202311677172.8
(22)申请日2023.12.07
(71)申请人上海中欣晶圆半导体科技有限公司
地
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