GB/T 12964-2018硅单晶抛光片.pdf

JCS29.045

H82

中华人民共和国国家标准

GB/T12964-2018

代替GB/T12964-2003

硅单晶抛光片

Monocrystallinesiliconpolishedwafers

2018-09-17发布2019-06-01实施

国家市场监督管理总局

发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T12964-2018

同＝

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目。

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。

本标准代替GB/T12964-2003《硅单晶抛光片》，与GB/T12964-2003相比，除编辑性修改外主

要技术变化如下：

一一修订了造用范围，将“本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄进行单面抛光制备的硅抛光

片”改为“本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括中子姐变掺杂和气相掺杂）制备的直径不大

于200mm的硅单晶抛光片。产品主要用于制作集成电路、分立元件、功率器件等，或作为硅

外延片的衬底”（见第1章，2003年版的第1章〉。

一一修订了规范性引用文件，删除了GB/T1552、GB/T1554、GB/T1555、GB/T1558、

GB/T13387、GB/T13388、GB/T14140、GB/T14143，增加了GB/T12965、GB/T19921、

GB/T24578、GB/T29507、GB/T32279、GB/T32280、YS/T28、YS/T679C见第2章，2003

年版的第2章〉。

一一删除了原标准中的具体术语内容，改为“GB/T14264界定的术语及定义适用于本文件”〈见

第3章，2003年版的第3章〉。

一一修订了硅抛光片的分类。删除了“按硅单晶生长方法分为直拉（CZ）和悬浮区熔（FZ）”，增加了

“按表面取向分为常用的｛100｝、｛110｝、｛111｝三种”〈见4.2.2,2003年版的4.1）。

一一增加了“硅抛光片的直径、表面取向及其偏离皮、参考面长度（主参考面直径）、切口尺寸、参考

面位置和切口位置应符合GB/T12965的规定。如有需要，由供方提供各项检验结果”

〈见5.1）。

一一删除了表1中主、副参考面长度、切口、主参考面直径的要求，修订了直径允许偏差、厚度、总厚

度变化、翘曲度、总平整度的要求，增加了弯曲度的要求，增加了直径不小于125mm硅抛光片

的局部平整度的要求（见表1,2003年版的表1）。

一一将晶体完整性的要求列在5.1，由供方提供检验结果（见5.1,2003年版的5.3）。

一一修订了氧化诱生缺陷的要求，改为“硅抛光片的氧化诱生缺陷应不大于100个／c时，或由供需

双方协商确定”（见5.42003年版的5.3.2）。

一一删除了原标