- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
1.IGBT的开启电压UGE(th)随温度升高而略有下降,开关速度小于电力MOSFET。
2.在如下器件:电力二极管(PowerDiode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电
力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是电力二极管,属于半控型器件的
是晶闸管,属于全控型器件的是GTOGTR电力MOSFETIGBT;属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET,属于双极
型器件的有电力二极管晶闸管GTOGTR,属于复合型电力电子器件得有IGBT_;在可控的器件中,容量最大的是_
晶闸管_,工作频率最高的是电力MOSFET,属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT,属于电流驱动的是晶闸管、GTO、
GTR。
3.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_。阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可
O
控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180_,其承受的最大正反向
电压均为_2U__,续流二极管承受的最大反向电压为__2U_(设U为相电压有效值)。
2
22
O
4.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为0-180,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电
O
压分别为2U2和2U;带阻感负载时,α角移相范围为0-90,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别
22
为2U和2U;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗
22
器。
5.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=π-α-;当控制角小于不导电
角时,晶闸管的导通角=π-2。
6.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于2U,晶闸管控制角α的最大移相范
2
o
围是0-150,使负载电流连续的条件为30o(U2为相电压有效值)。
7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是最高的相电压,而共阳极组中处
o
于导通的晶闸管对应的是最低的相电压;这种电路角的移相范围是0-120,u波形连续的条件是α≤60°。
d
8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值下降_
9.滤波单相不可控整流带电阻负载电路中,空载时,输出电压为__2U_,随负载加重Ud逐渐趋近于_U_,通常设计
2
文档评论(0)