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LDMOS（LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor)横向扩散金属氧化物半导体LDMOS介绍PPT精选文档全文共43页，当前为第1页。简介80年代以来，迅猛发展的超大规模集成电路技术给高压大电流半导体注入了新的活力，一批新型的声控功放器件诞生了，其中最有代表性的产品就是VDMOS声效应功率晶体管。这种电流垂直流动的双扩散MOS器件是电压控制型器件。在合适的栅极电压的控制下，半导体表面反型，形成导电沟道，于是漏极和源极之间流过适量的电流VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点。与双极晶体管相比，它的开关速度，开关损耗小；输入阻抗高，驱动功率小；频率特性好；跨导高度线性。特别值得指明出的是，它具有负的温度系数，没有双极功率的二次穿问题，安全工作区大。因此，不论是开关应用还是线性应用，VDMOS都是理想的功率器件。九十年代中后期开始大批量生产LDMOS,作为微波低端大功率(20W以上)器件的主流技术,2.4GHz以下输出峰值可达到200W以上,年产量超过4亿美元。与传统的双极型晶体管相比,LDMOS器件在2.4GHz以下频段时,增益、线性度、开关性能、散热性能、价格等方面都有着明显的优势。今后LDMOS将向更高频率、更低成本方向发展,见表1。现在，VDMOS器件已广泛应用于各种领域，包括电机调速、逆变器、不间熠电源、开关电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等。由于VDMOS的性能价格比已优于比极功率器件，它在功率器件市声中的份额已达42%。并将继续上升。世界各大半导体厂商如Freescale公司(占全球市场60%)、Philips公司(占全球市场25%)、Infineon公司以及STM公司等竞相研究与开发。LDMOS介绍PPT精选文档全文共43页，当前为第2页。LDMOS(LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor；横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了LDMOS晶体管的应用，也使得LDMOS的技术不断成熟，成本不断降低，因此今后在多数情况下它将取代双极型晶体管技术。与双极型晶体管相比,LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠性。LDMOS能经受住高于双极型晶体管3倍的驻波比，能在较高的反射功率下运行而没有破坏LDMOS设备；它较能承受输入信号的过激励和适合发射数字信号，因为它有高级的瞬时峰值功率。LDMOS增益曲线较平滑并且允许多载波数字信号放大且失真较小。LDMOS管有一个低且无变化的互调电平到饱和区，不像双极型晶体管那样互调电平高且随着功率电平的增加而变化。这种主要特性允许LDMOS晶体管执行高于双极型晶体管二倍的功率，且线性较好。LDMOS晶体管具有较好的温度特性温度系数是负数，因此可以防止热耗散的影响。这种温度稳定性允许幅值变化只有0.1dB，而在有相同的输入电平的情况下，双极型晶体管幅值变化从0.5~0.6dB,且通常需要温度补偿电路。LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。1971年Y.Tarui等人提出了横向双扩散MOS的结构。1976年M.J.Declerq和J.D.Plummer采用这种方案，做出了第一个LDMOS。LDMOS介绍PPT精选文档全文共43页，当前为第3页。LDMOS器件结构如图1所示，LDMOS是一种双扩散结构的功率器件。这项技术是在相同的源/漏区域相继两次进行硼磷扩散，一次注入浓度较大（典型注入剂量1015cm-2）的砷（As），另一次注入浓度较小（典型剂量1013cm-2）的硼（B）。注入之后再进行一个高温推进过程，由于硼扩散比砷快，所以在栅极边界下会沿着横向扩散更远（图中P阱），形成一个有浓度梯度的沟道，它的沟道长度由这两次横向扩散的距离之差决定。在有源区和漏区之间有一个高阻层，称为漂移区。高阻漂移区的存在提高了击穿电压，并减小了漏、源两极之间的寄生电容，有利于提高频率特性。同时，漂移区在沟道和漏之间起缓冲作用，削弱了LDMOS的短沟道效应。由于VDS的绝大部分降落在漂移区上，因此在沟道夹断后，基本上没有沟道的长度调制效应。当VDS增大的时候，输出电阻不会降低，沟道区也不易穿通，从而LDMOS的击穿电压不受沟道长度和掺杂水平的限制，可以进行独立的设计。LDMOS中的漂移区是该类器件设计的关键，漂移区的杂质浓度比较低，因此，当LDMOS接高压时，漂移区由于是高阻，能够承受更高的电压。图1所示LDMOS的多晶扩展到漂移区的场氧上面，充当场