光电检测技术中的基础知识.ppt

因载流子热运动引起的电流起伏或电压起伏称为热噪声。热噪声均方电流和热噪声均方电压分别由下式决定式中k是玻尔兹曼常数；T是温度(K)；R是器件电阻值；△f为所取的通带宽度(频率范围)。载流子热运动速度取决于温度，所以热噪声功率与温度有关。在温度一定时，热噪声只与电阻和通带有关，故热噪声又称白噪声。在常温下适合于1012Hz频率以下范围第30页，课件共42页，创作于2023年2月关于光电检测技术中的基础知识第1页，课件共42页，创作于2023年2月辐射度学的基本物理量辐射通量Φe:单位时间内通过一定面积发射、传播或接受的辐射能量Q，又称辐射功率Pe，是辐射能的时间变化率。单位：瓦［Ｗ］定义式？辐射强度Ιe：点辐射源在给定方向上通过单位立体角内的辐射通量。单位W/Sr］ 辐射亮度Le：面辐射源单位投影面积定向发射的辐射强度。单位：［W/m2．Sr］辐射出射度Ｍe：扩展辐射源单位辐射面所辐射的通量（也称辐射本领）。单位：［W/m2］辐射照度Ee：单位受照面上接受的辐射通量。单位［W/m2］第2页，课件共42页，创作于2023年2月光度学的基本物理量光通量Φv:单位时间内通过一定面积发射、传播或接受的光能量，又称光功率Pv，是光能的时间变化率。单位：流明［lm］发光强度Ιv：点辐射源在给定方向上通过单位立体角内的光通量。单位cd］ 光亮度Lv：辐射表面定向发射的光强度。单位：［cd/m2］光出射度Ｍv：面光源单位面积所辐射的光通量（也称发光本领）。单位：［lm/m2］光照度Ev：投射在单位面积上的光通量。单位［lx］第3页，课件共42页，创作于2023年2月第4页，课件共42页，创作于2023年2月1、两者的相同点：①光度量和辐射度量的定义、定义方程是一一对应的。②辐射度量和光度量都是波长的函数。2、两者的不同点：①符号不同：辐射度量下标为e，例如Qe，Φe，Ie，Me，Ee，光度量下标为v，Qv，Φv，Iv，Lv，Mv，Ev。②单位不同（略）③研究范围不同，光度量只在可见光区（３８０－７８０nm)才有意义。第5页，课件共42页，创作于2023年2月晴天阳光直射地面照度约为100000lx晴天背阴处照度约为10000lx晴天室内北窗附近照度约为2000lx晴天室内中央照度约为200lx晴天室内角落照度约为20lx阴天室外50—500lx阴天室内5—50lx月光（满月）2500lx日光灯5000lx电视机荧光屏100lx阅读书刊时所需的照度50~60lx在40W白炽灯下1m远处的照度约为30lx晴朗月夜照度约为0.2lx黑夜0.001lx第6页，课件共42页，创作于2023年2月其它基本概念——见P51、点源2、扩展源（朗伯源、余弦辐射体）3、漫反射面（散射面）4、定向辐射体（激光）第7页，课件共42页，创作于2023年2月导体、半导体和绝缘体半导体的特性半导体的能带结构——见P8本征半导体与杂质半导体平衡和非平衡载流子载流子的输运过程半导体的光吸收效应返回第8页，课件共42页，创作于2023年2月1、自然存在的各种物质，分为气体、液体、固体。2、固体按导电能力可分为：导体、绝缘体和介于两者之间的半导体。3、电阻率10-6~10-3欧姆?厘米范围内——导体电阻率1012欧姆?厘米以上——绝缘体电阻率介于导体和绝缘体之间——半导体第9页，课件共42页，创作于2023年2月1、半导体电阻温度系数一般是负的，而且对温度变化非常敏感。根据这一特性，可制成热电探测器件。2、导电性受极微量杂质的影响而发生十分显著的变化。（纯净Si在室温下电导率为5×10-6/(欧姆?厘米)。掺入硅原子数百万分之一的杂质时，电导率为2/(欧姆?厘米)3、半导体导电能力及性质受光、电、磁等作用的影响。第10页，课件共42页，创作于2023年2月1、本征半导体就是没有杂质和缺陷的半导体。2、在绝对零度时，几乎不导电。3、在纯净的半导体中掺入一定的杂质，可以显著地控制半导体的导电性质。4、掺入的杂质可以分为施主杂质和受主杂质。5、施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的n型半导体。——见P106、受主杂质电离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴，使半导体成为空穴导电的p型半