HF2301BI 2.3A 20V SOT23L 深圳黑锋科技.pdf

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HF2301BI

-20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

GeneralDescription

TheHF2301BIusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge

andoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

FeaturesApplication

VDS-20VID-2.8ABatteryprotection

RDS(ON)125mΩ@VGS-4.5VType95mΩ

（：）Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

TypicalApplicationCircuit

HF2301BITypicalApplicationCircuit

AbsoluteMaximumRatings(TC25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnit

VDSDrain-SourceVoltage-20V

VGSGate-SourceVoltage±12V

ID@TA25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@4.5V1-2.8A

ID@TA70℃ContinuousDrainCurrent,VGS@4.5V1-1.1A

IDMPulsedDrainCurrent2-8.4A

PD@TA25℃TotalPowerDissipation31.3W

TSTGStorageTemperatureRange-55to150℃

TJOperatingJunctionTemperatureRange-55to150℃

RθJAThermalResistanceJunction-ambient1125℃/W

RθJCThermalResistanceJunction-Case128℃/W

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