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Zn_Cr_LiNbO_3单晶的坩埚下降法生长及其荧光光谱

第34卷第8期光子学报Vol.34No.8 年8月AugustACTAPHOTONICASINICA

?LiNbOZn,Cr单晶的坩埚下降法生长33

及其荧光光谱

夏海平王金浩章践立张约品张新民

()宁波大学光电子功效材料重点实验室,宁波315211

()摘要通过选择适宜的化学原料Li2O?48.6mol%,Nb2O5?51.4mol%、控制生长速度

()()3mm/h及固液界面的温度梯度20,40?/cm与温场

,用坩埚下降法成功地生长出了Zn、Cr

双掺杂初始浓度分别为3mol%、0.1mol%,以及6mol%、0.1mol

%的大尺寸铌酸锂晶体1生长

(的晶体无宏观缺点,在He2Ne激光的照射下,无散射中心1

测定了晶体的宽带荧光光谱700,

())1200nm及R带710,740nm的精细变温光谱1这些R带的光谱线由Cr离子所取代的

3+3+))((LiNbLiCr与NbCr的发光中心以及声子辅助吸取所致1

核心词锌、铬双掺杂铌酸锂晶体;坩埚下降法;光谱中图分类号文献标记码TQ381A

要,可望获得满足不同规定与应用的晶体品种1近0引言来研究表明

,坩埚下降法是一种生长LN及其掺杂

[12,13]()随着半导体激光二极管LD技术的发展及其LN

晶体的适宜工艺办法1

2+波段的扩展,近几年人们应用发光效率高的激光二本文用下降法工艺技术生长出了双掺杂Zn

3+极管作为泵浦源,可望实现固体激光器的高效化与与Cr离子的LN

晶体1测定了晶体上下部位的3+3+小型化而引发人们的高度爱好1

Cr离子是一种得吸取光谱1研究了不同Zn掺杂量时,Cr离子的[1]3+到广泛应用的发光离子,Cr离子在,470nm荧光光谱变化情况1研究了Zn,Cr?LN晶体从4444())(A?T与,660nm

A?T波段有较强的2122()77K到室温R带710,740nm的变温发射光谱并

二吸取带1一般由氙灯与氩离子激光作为泵浦源用

讨论了引发这些窄线变化的因素13+来激发以Cr离子为基础的激光材料1

近期研究

1实验表明,用670nm波长的LD光作为泵浦源来激发

3+Cr为发光中心的激光晶体,能量转化效率大幅度(由LiCO25作为LN的合成原料购23和NbO[2]提高,获得了较好的激光输出1)

置于江西九江有色金属冶炼厂,原料的纯度均为

LiNbO晶体是一种在工业上得到广泛应用的399.99%1初始原料的配方为同成分化学计量比[3,5]3+()多功效晶体1LiNbOLN掺杂Cr离子的晶3()Li2CO3为48.6mol%,Nb2O5为51.4mol%1

体由于潜在的宽带可调谐激光输出及其LN晶体的[6,9]混合均匀后在1280

?高温烧结48h.ZnO与Cr2O3优良光电性能而引发人们的广泛注意1但是由的纯度均为99.99%,Cr的掺杂浓度为0.1mol%,

于晶体中的本征缺点与杂质的存在,造成晶体材料多晶粉末LN与ZnO和

CrO经玛瑙球磨机充足23低的抗激光损伤阈值,从而限制了其在光电子器件混合均匀,然后直接装于白金坩埚中1用电焊办法,设计中的广泛应用1大量的研究表明,在LN晶体密封白金坩埚1晶体生长方向为a轴1

中掺入如Mg、Zn、Sc、In等物质能有效地提高铌酸[10,11]晶片的吸收光谱由Perkin2ElmerLambda35锂晶体的抗激光损伤性能1Zn与Cr双掺杂的

LN晶体的发展与应用前景被一致看好1紫外可见光谱仪测得

,波长分辨率为0.5nm1在测

现在工业上所用的LN及其掺杂晶体几乎都用定荧光光谱时

,晶体分别放置于密封的液氮与液氦提拉法技术生长1