原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
第一章：
填空：
等比例缩小理论包括恒定电场（）等比例缩小定律、恒定电压（）等
1.CECV
比例缩小定律、准恒定电场（）等比例缩小定律。
QCE
名词解释：
摩尔定律：公司创始人之一预测集成电路的集成度大约是每个月翻
1.InlMoor18
一番，称为摩尔定律。
2.CMOS集成电路要把NMOS和PMOS两种器件做在一个芯片里。
3.CMOS集成电路是利用NMOS和PMOS的互补性来改善电路性能的，因此
叫做集成电路。在型衬底上用阱工艺制集成电路。
CMOSPNCMOS
第二章：
填空：
集成电路加工的三个基本操为：形成某种材料的薄膜，在各种材料的薄膜上形成需要
12
的图形，通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型。
3
名词解释：
闩锁效应：在阱中管的源、漏区通过阱到衬底形成了寄生的纵向晶
nCMOSPMOSnPNP
体管，而的源、漏区与型衬底和阱形成寄生的横向晶体管。晶体管的
NMOSPnNPNPNP
集电极和NPN晶体管的基极通过衬底连接，同时NPN晶体管的集电极通过阱和PNP晶体
管的基极相连，从而构成交叉耦合形成的正反馈回路，一旦其中有一个晶体管导通，电流将
在两支晶体管之间循环放大，使电流不断加大，最终导致电源和地之间形成极大的电流，并
使电源和地之间锁定在一个很低的电压，这就是闩锁效应
CMOS图设计规则：为了保证制的集成电路合格并保证一定的成品率，不仅要严格控
制各种工艺参数，而且要有设计正确合理的图，在设计图时必须严格遵守的某些限制称
为图设计规则。
浅沟槽隔离工艺：浅沟槽隔离是采用现代刻蚀技术实现很大的纵横比沟槽，然后采用CVD
方法淀积SiO2从而形成用于隔离的沟槽。
所示为晶体管结构图，请写出图中字母至所对应部位的中文名称，并以
MOSAFNMOS
为例简述晶体管的工原理。（分）
MOS5
：源极，：栅极，：漏极，：源区，：漏
ABCDE
区，：型硅衬底。
Fp
沟晶体管工原理：增加时，吸引到
NMOSVGSP
衬底表面层的电子就增多，当VGS达到某一数值
文档评论（0）