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键合晶圆及芯片制作方法.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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键合晶圆及芯片制作方法.pdf

    本申请提供了一种键合晶圆及芯片制作方法，该键合晶圆包括相对设置的母晶圆和子晶圆，母晶圆和子晶圆之间设置有中间层；该中间层具有：覆盖中间层的几何中心的中间部，中间部为子晶圆和母晶圆提供了更良好的接触；围绕中间部设置的环形沟槽，该环形沟槽将中间层沿其周向间隔以形成环形条带；依次穿过环形沟槽与环形条带并与外部空间连通的通气沟槽。本申请将键合层优化为分立的小区域键合，极大的降低了热膨胀累积的应力并且可以及时地将空腔内的高温气体排出。本申请提供的芯片制作方法有效提升了键合晶圆的稳定性，保证键合晶圆不会破裂

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117637659A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202311562860.X

    (22)申请日2023.11.22

    (71)申请人福建晶安光电有限公司

    地址36

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