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本发明公开了一种基于晶圆重构的多类芯片减薄方法,属于集成电路封装与晶圆减薄技术领域。包括以下步骤:对照待减薄目标芯片的初始厚度,对承载晶圆进行第一次减薄加工,获得减薄承载晶圆;将减薄承载晶圆进行预处理后对照待减薄目标芯片的形状和尺寸切割加工减薄承载晶圆,获得替代芯片;拾取替代芯片,预留承载晶圆空槽,然后将待减薄目标芯片定向回填至承载晶圆空槽内,获得重构承载晶圆;重构承载晶圆进行第二次减薄,将重构承载晶圆的厚度减薄到待减薄目标芯片的目标厚度,获得减薄重构承载晶圆;将减薄重构承载晶圆进行后处理获得目
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117637458A
(43)申请公布日2024.03.01
(21)申请号202311611081.4
(22)申请日2023.11.28
(71)申请人珠海天成先进半导体科技有限公司
地
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