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一种半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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一种半导体结构及其制备方法.pdf

    本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构的制备方法，包括：提供第一介质层和第二介质层，所述第一介质层中形成有至少一个第一开口，所述第二介质层填充所述第一开口并覆盖所述第一介质层的表面；提供酸性抛光组合物，所述酸性抛光组合物包括带正电荷的研磨颗粒；采用所述酸性抛光组合物对所述第二介质层执行化学机械研磨工艺，以使得所述第二介质层的上表面与所述第一介质层的上表面齐平。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117637460A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202210956365.6

    (22)申请日2022.08.10

    (71)申请人长鑫存储技术有限公司

    地址23

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