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紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管.pdfVIP

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  • 2024-03-06 发布于四川
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紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管.pdf

    本发明公开了一种紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。紫外发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层和P型接触层，所述电子阻挡层包括β‑Ga2O3‑石墨烯复合层，所述P型半导体层包括第一P型β‑Ga2O3‑石墨烯复合层，所述P型接触层包括第二P型β‑Ga2O3‑石墨烯复合层。实施本发明，可提升发光二极管的亮度，降低工作电压。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117650211A

    (43)申请公布日2024.03.05

    (21)申请号202311509843.X

    (22)申请日2023.11.14

    (71)申请人江西兆驰半导体有限公司

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