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2024-03-06 发布于四川
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半导体结构和半导体结构的制造方法.pdf

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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构和半导体结构的制造方法，半导体结构包括：基板，所述基板具有供电端口；存储模块，位于所述基板的上表面；所述存储模块包括在第一方向上堆叠的多个存储芯片，所述第一方向平行于所述基板的上表面；每个所述存储芯片具有供电信号线，多个所述存储芯片中的至少一者具有供电布线层，所述供电信号线与所述供电布线层电连接；所述供电布线层位于所述存储模块内，且所述供电布线层远离所述基板的端面被所述存储模块露出；所述端面还具有焊接凸块；引线框架，与所述焊接凸块和所述供电端口电连接

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117650133A

(43)申请公布日2024.03.05

(21)申请号202210957799.8

(22)申请日2022.08.10

(71)申请人长鑫存储技术有限公司

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