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- 2024-03-10 发布于广东
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关于各种场效应管的原理和特性曲线讲解第1页,课件共36页,创作于2023年2月第三章场效应管3.0概述场效应管是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件,也是一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小、工艺简单,器件特性便于控制,是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。场效应管与三极管主要区别:场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。场效应管是单极型器件(三极管是双极型器件)。场效应管受温度的影响小(只有多子漂移运动形成电流)第2页,课件共36页,创作于2023年2月一、场效应管的种类第三章场效应管按结构不同分为绝缘栅型场效应管MOSFET结型场效应管JFETP沟道N沟道P沟道N沟道P沟道N沟道MOSFET(按工作方式不同)耗尽型(DMOS)增强型(EMOS)沟道:指载流子流通的渠道、路径。N沟道是指以N型材料构成的区域作为载流子流通的路径;P沟道指以P型材料构成的区域作为载流子流通的路径。第3页,课件共36页,创作于2023年2月第三章场效应管二、场效应管的结构示意图及其电路符号JFET结构示意图及电路符号SGDSGDP+P+NGSDN沟道JFETP沟道JFETN+N+PGSD返回第4页,课件共36页,创作于2023年2月耗尽型场管的结构示
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