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PN结正向压降与温度关系的研究

一、实验简介：

众所周知，常用于温度的传感器有热电偶，测度电阻器和热敏电阻，红外测温仪等。其中，PN结温度传感器具有灵敏度高，线性好，响应快易于集成化等，其他传感器无法比拟的优点，工作温度范围一般在－50℃～150℃灵敏度可达 100MV/℃。而本实验 PN结只有2.2MV/℃左右。

二、 实验目的：

1.了解PN结正向压降随温度变化的基本关系式。

2在恒流条件下，测绘PN结正向压降随温度变化曲线并由此确定其灵敏度和被测PN结材料的禁带宽度。

3.学习用PN结测温度的方法。三、 实验原理：

人们将高价元素（例如：P）掺杂到硅材料中，由于磷元素多电子，使材料主要以电子导电称P型半导体，将三价的硼元素掺杂到硅材料中使材料中出现大量空穴称N型半导体材料。将P型材料同N型材料粘合在一起由于电子和空穴的扩散复合形成PN结。

理想PN结的正向电流I

F

和压降V

F

存在如下近似关系式。

I ?I

F s

exp(qV

F

kT)

(1)

其中q为电子电荷；K为玻尔兹曼常数；T为绝对温度；I为反

S

I ?CTrs

exp[?qV (0) kT] (2)

g

向饱和电流，它是一个和PN结材料的禁带宽度以及温度等有关的系数。

其中C是与结面积、掺杂浓度等有关的常数；r也是常数（见附

录）；V

（0）为绝对零度时PN结材料的导带底和价带顶的电势差。

g

将（2）式代入（1）式，两边取对数可得

k c kTV ?V (0)?( ln )T? lnTr ??V ?V

k c kT

(3)

F g q I q

F

1 n1

其中 ，

V ?V

1 g

(0)?

k c

( ln )Tq I

F

kT

V ?? (lnTr)n1 q

方程（3）就是PN结正向压降作为电流和温度函数的表达式，它是PN

结温度传感器的基本方程。其中：V的导带底和价带顶的电势差。q――电子的电荷。K――玻尔兹曼常数。T――绝对温度。

（0）――绝对零度时PN结材料

g

I――PN结中正向电流。

f

?――常数。

令I＝常数，则正向压降只随温度而变化，但是在方程（3）中，除

F

线性项V

1

外还包含非线性项V。

n1

下面来分析一下Vn1项所引起的线性误差。

设温度由T

1

变为T时，正向电压由V

F1

变为V，由（3）式可得

F

V ?V(0)?[V

(0)?V

T kT T

?] ln( )r

?

(4)

F g g

F1 T q T

1 1

按理想的线性温度响应，V

F

应取如下形式

V ?V

理想 F1

?V

???F1

?T

?T?T?

1

(5)

??VF1 ?VF

?

T等于T

1

温度时的 ?T 值。

由（3）式可得

?V

F1

??Vg(0)?VF1?kr

(6)

?T T q

1

所以

V ?V

V(0)?V

?[? g F1

kr]?T?T?

理想 F1

?V(0)?[V

g g

T

1

(0)?V ]T

F1 T

1

q 1

kr(T?T)

q 1

(7)

由理想线性温度响应（7）式和实际响应（4）式相比较，可得实际响应对线性的理论偏差为

k kT ?T?r

(8)

??V

?V ? r(T ?T)? ln? ?

??理想 F q 1 q T

?

?

1

设T＝300K，T＝310K，取r＝3.4＊，由（8）式可得Δ＝0.048mV，而相应

1

的V的改变量约20mV，相比之下误差甚小。不过当温度变化范围增大时，V温

F F

度响应的非线性误差将有所递增，这主要由于r因子所致。

综上所述，在恒流供电条件下，PN结的VF对T的依赖关系取决于线性项V1，即正向压降几乎随温度升高而线性下降，这就是PN结测温的依据。必须指出，上述结论仅适用于杂质全部电离，本征激发可以忽略的温度区间（对于通常的硅二极管来说，温度范围约－50℃～150℃）。如果温度低于或高于上述范围时，由

于杂质电离因子减小或本征载流子迅速增加，V－T关系将产生新的非线性，这

F

一现象说明VF－T的特性还随PN结的材料而异，对于宽带材料（如GaΑs）的其

PN结，高温端的线性区则宽；而材料杂质电离能小（如Insb）的PN结，则低温端的线性范围宽，对于给定的PN结，即使在杂质导电和非本征激发温度范围

内，其线性度亦随温度的高低