晶体三极管输出特性曲线.pptVIP

三极管输出特性三极管输出特性三极管输出特性三极管输出特性第1页，课件共15页，创作于2023年2月教学设计2.新知引入1.复习回顾3.讲授新知4.拓展新知第2页，课件共15页，创作于2023年2月复习回顾当VBE大于三极管门坎电压时（硅管约0.5V,锗管约0.2V），三极管开始导通。随后IB在较大的范围内变动时，VBE变化很小，近似一个常数，此时VBE值称为发射结正向压降或导通电压值，硅管为0.7V，锗管约为0.3V。PNNNPPVBE与IB成非线性关系A输入特性曲线第3页，课件共15页，创作于2023年2月新知引入在电路维修和故障分析中，常常要根据测量的电压，判定三极管是否正常工作，判定是三极管坏了还是电路其他元件坏了。就很有必要掌握三极管的三种工作状态及特点。B第4页，课件共15页，创作于2023年2月讲授新知三极管的输出特性：IB为一定值，VCE和IC之间的相应数量关系，可用三极管的输出特性曲线表示。GCGBRPRVCERCICIBVVuAmA以共射电路为例：C第5页，课件共15页，创作于2023年2月vCE/v00.30.513510IB=0uA000.10.10.150.20.3IB=40uA00.430.520.530.530.530.53IB=80uA02.12.32.42.42.42.4IB=120uA04.14.34.44.44.44.4IC/mA输出特性曲线族图IB一定，VCE和IC对应的数据：第6页，课件共15页，创作于2023年2月1．截止区IB=0，三极管处于截止状态。电流特点：IB=0，IC=ICEO≠0，ICEO为穿透电流。偏置条件：发射结反偏或零偏，集电结反偏。 截止状态以NPN管为例：PNNVBE≤0,VBC＜0,VCE＞VBEICEOVBEVBCVCE第7页，课件共15页，创作于2023年2月2．饱和区VCE=VCES，VCES称为饱和压降，硅管约0.3V，锗管约为0.1V，三极管处于饱和状态。电流特点：IC不随IB的增大而线性增大。偏置条件：发射结正偏，集电结正偏。饱和状态VBE＞0,VBC＞0,VCE＜VBE以NPN管为例：PNNVBEVBCVCE第8页，课件共15页，创作于2023年2月3．放大区放大状态电流特点：IC受IB控制而变化，ΔIC=βΔIB，具有电流放大作用。恒流特性：IB一定，IC不随VCE而变化，即IC恒定。偏置条件：发射结正偏，集电结反偏。以NPN管为例：VBE＞0,VBC＜0,VCE＞VBEPNNVBEVBCVCE第9页，课件共15页，创作于2023年2月

总结：三极管工作状态由偏置情况决定截止状态放大状态饱和状态偏置条件发射结反偏或零偏集电结反偏发射结正偏集电结反偏发射结正偏集电结正偏电位电压（NPN）VB≤VE即：VBE≤0VBC＜0，VBE＜VCEVC＞VB＞VE即：VBE＞0，VBC＜0，VBE＜VCEVB＞VE，VB＞Vc即：VBE＞0，VBC＞0，VBE＞VCE电位电压（PNP）VB≥VE即：VBE≥0VBC＞0,VBE＞VCEVC＜VB＜VE即：VBE＜0，VBC＞0，VBE＞VCEVB＜VE，VB＜VC即：VBE＜0，VBC＜0,VBE＜VCEPNNVBVEVCVBEVCE﹢﹢﹣﹣VBVEVCVBEVCE﹢﹢﹣﹣NPP第10页，课件共15页，创作于2023年2月C拓展新知：1．判别三极管的工作状态，NPN为硅管，PNP为锗管。NPP-0.3V-0.1V0VPP0.3VN-12V0VNPP-2V-7V-1.6V6V2V1.3VPNN4.5V4V4.8VPNN5V0V0.7VNNP截止放大饱和截止放大饱和第11页，课件共15页，创作于2023年2月三极管输出特性三极管输出特性三极管输出特性三极管输出特性*