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半导体结构的形成方法.pdfVIP

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  • 2024-03-09 发布于四川
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半导体结构的形成方法.pdf

    一种半导体结构的形成方法，包括：在所述第一区域和第二区域的伪栅结构两侧的沟道叠层中形成源漏凹槽；沿所述沟道层长度的方向，去除所述源漏凹槽侧壁露出的部分厚度牺牲层，使相邻的沟道层与剩余牺牲层之间，或凸起部与相邻的沟道层和剩余牺牲层之间围成沟槽；在所述第一区域和第二区域的沟槽内形成内侧墙；在所述第一区域的源漏凹槽内形成第一源漏掺杂层，第一源漏掺杂层与所述内侧墙的侧壁相接触；在所述第二区域的源漏凹槽内形成第二源漏掺杂层，第二源漏掺杂层与所述内侧墙的侧壁相接触。本发明实施例简化了工艺流程，提高了工艺整合

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117672974A

    (43)申请公布日2024.03.08

    (21)申请号202211047488.4

    (22)申请日2022.08.29

    (71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限

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