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一种SiC外延片及其制备方法.pdfVIP

一种SiC外延片及其制备方法.pdf

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    本申请公开了一种SiC外延片及其制备方法，本申请的SiC外延片的制备方法包括以下步骤：提供衬底，将衬底置于反应腔中，衬底具有第一表面，在第一表面上形成第一缓冲层，第一缓冲层包括6H‑SiC；形成第二缓冲层，第二缓冲层位于第一缓冲层背离衬底一侧，第二缓冲层包括4H‑SiC；形成外延层，外延层位于第二缓冲层背离第一缓冲层一侧。本申请在通过在衬底与第二缓冲层之间生长第一缓冲层，扰乱衬底位错的传递，通过该方法得到平滑且缺陷低的SiC外延片。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117672815A

    (43)申请公布日2024.03.08

    (21)申请号202311623942.0

    (22)申请日2023.11.29

    (71)申请人中环领先半导体科

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