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实验课3 源跟随器、共栅极、共源共栅放大器分析
1、采用NMOS设计源跟随器，其负载为20k的电阻。电源电压3.3V。(没有特别说明时源衬端接)
NMOS尺寸(W/L)=50u/0.5u,对输入执行DC扫描，观察输入输出的跟随特性，指出跟随特性较好的输入电压范围。电平位移大概为多少？
采用两种办法办法使输入到输出的电平位移量达到700mV左右。按照自己的想法修改电路，并给出仿真结果。
将衬底接地，重新执行(1)的分析，其结果有何不同？为什么会有这种变化？
解：设计的源跟随器如下图所示：
VDD
VinM1
VOUT
RS
图1.1 源跟随器
执行DC扫描，所得图形如下所示：（源代码1_1.sp)
图1.2源跟随器DC扫描
由图分析可得：跟随特性较好的输入电压范围0.8V----3.3V。电平位移大概为0.76V。
方法一，增加电阻RS，通过仿真，当RS=400k时，输入到输出的电平位移量达到700mV左右，如下图所示：（源代码1_2_1.sp)
图1.3 RS=400k源跟随器DC扫描
方法二：增加宽长比，通过仿真，当W=100uL=0.25u时，输入到输出的电平位移量达到
700mV左右，如下图所示：（源代码1_2_2.sp)
图1.4 W=100uL=0.25u时源跟随器DC扫描
（3）（3）将衬底接地，执行DC扫描，所得图形如下所示：（源代码1_3.sp)
图1.5 衬底接地时源跟随器DC扫描
1 W
由图可以看出，跟随特性变差了，因为
2
的变化而变化，导致跟随特性变差。
?C
n OX
(V ?V
L in TH
?V
out
)2R
s
?V
out
而VTH随输入
2、共栅极电路如下图所示，负载电阻为20k。电源电压3.3V。衬底接地。
VDDRD
VDD
RD
+
-
Vb
Vin
图2.1 共栅极电路
NMOS尺寸(W/L)=5u/0.5u，Vb=1.0V，Vin是直流为0交流为5mV的正弦信号。通过仿真得到此共栅极的增益，并与手工计算结果相比较。
共源级电路各种参数与上同，这里Vin是直流为1.0V交流为5mV的正弦小信号，仿真得到其增益并与共栅极增益相比较，它们的增益相同吗？为什么？
手工计算共栅极的输入阻抗，并与仿真结果相比较。
VDDRD
Vin
M1
图2.2 共源级电路
VOUT
解：（1）共栅极仿真得到Vout为一正弦波，如下图所示：（源代码2_1.sp)
图2.3 共栅极电路仿真
仿真测得V
=1.3636V VMAX
=1.2215V
MIN
所以Av=(V
MAX
?V
MIN
)/0.01=(1.3636-1.2215)/0.01=14.2
下面进行手工分析计算：
Vin是直流为0，所以V
TH
?0.7V L?L?2L
d
?0.5?0.16?0.34
? ?350cm2/V/s C
n ox
?
?sio2
t
ox
3.9?8.85?1012
?? ?3.8fF/ m2
?
9?10?9
1 W 5
I ? ?C
D 2 n OX
(V
L b
?V )2?0.5?350?3.8? ?0.32?88?A
TH 0.34
?g 2ID ?0.59?10?3
?
m V ?V
?GS TH
?
2 2?Fg
2 2?
F
mb m
?0.14?10?3
??gm ?0.24
g
mb
ro? 1
?I
D
?1.14?105
A ?(1??)g R
V m D
?14.6 和仿真所得结果相吻合。
(2).共源级电路仿真得到Vout为一正弦波，如下图所示：（源代码2_2.sp)
图2.4 共源级电路仿真
仿真测得V
=1.3495V VMAX
=1.2359V
MIN
所以Av=(V
MAX
?V
MIN
)/0.01=(1.3495-1.2359)/0.01=11.36
与共栅极相比较，共栅极的增益要略高一些。因为共栅极存在体效应，使它的增益变高。
先手工分析共栅极的输入阻抗，如下：
1
用（1）得到的结果：ro??I
D
?1.14?105
?g 2ID ?0.59?10?3
?
m V ?V
?GS TH
?
2 2?Fg
2 2?
F
mb m
?0.14?10?3
RinR ?1?(g
R
in
m
r
DOg )r
D
O
mb O
? 20k?114k ?1.59k
1?0.73?1
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